[發(fā)明專利]自對準(zhǔn)式薄膜晶體管的制造方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200410031437.8 | 申請日： | 2004-03-29 |
| 公開（公告）號： | CN1677626A | 公開（公告）日： | 2005-10-05 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 黃茂村 | 申請（專利權(quán)）人： | 廣輝電子股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/336 | 分類號： | H01L21/336;H01L29/786 |
| 代理公司： | 永新專利商標(biāo)代理有限公司 | 代理人： | 蔡勝利 |
| 地址： | 臺灣省*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 對準(zhǔn) 薄膜晶體管 制造 方法 | ||
【權(quán)利要求書】：
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- 專利分類
H01 基本電氣元件
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
- 對準(zhǔn)標(biāo)記,對準(zhǔn)方法和對準(zhǔn)系統(tǒng)
- 對準(zhǔn)裝置及對準(zhǔn)方法
- 對準(zhǔn)裝置、用于這樣的對準(zhǔn)裝置的對準(zhǔn)元件和對準(zhǔn)方法
- 對準(zhǔn)標(biāo)記及其對準(zhǔn)方法
- 對準(zhǔn)裝置和對準(zhǔn)方法
- 對準(zhǔn)裝置及對準(zhǔn)方法
- 使用物理對準(zhǔn)標(biāo)記和虛擬對準(zhǔn)標(biāo)記進(jìn)行對準(zhǔn)
- 使用物理對準(zhǔn)標(biāo)記和虛擬對準(zhǔn)標(biāo)記進(jìn)行對準(zhǔn)
- 對準(zhǔn)裝置和對準(zhǔn)方法
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