[發(fā)明專利]監(jiān)測離子植入狀態(tài)的芯片重復(fù)再使用的方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200410017409.0 | 申請日： | 2004-04-01 |
| 公開（公告）號： | CN1677620A | 公開（公告）日： | 2005-10-05 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 金桂東;江瑞星;繆郭耀;高玉歧 | 申請（專利權(quán)）人： | 上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/265 | 分類號： | H01L21/265;H01L21/324;H01L21/00 |
| 代理公司： | 上海光華專利事務(wù)所 | 代理人： | 余明偉 |
| 地址： | 201203上海市浦東*** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 監(jiān)測 離子 植入 狀態(tài) 芯片 重復(fù) 使用 方法 | ||
【權(quán)利要求書】：
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- 專利分類
H01 基本電氣元件
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
- 一種用于監(jiān)測站的天氣監(jiān)測系統(tǒng)
- 一種電力設(shè)備安全監(jiān)測系統(tǒng)及監(jiān)測方法
- 基于區(qū)塊鏈的環(huán)境監(jiān)測及數(shù)據(jù)處理方法和裝置
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