[發(fā)明專利]用于在等離子體蝕刻期間屏蔽晶片不受帶電粒子影響的設(shè)備和方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200380103007.6 | 申請(qǐng)日： | 2003-12-02 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN1711621A | 公開（公告）日： | 2005-12-21 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | R·懷斯;閻紅雯;B·吉;S·潘達(dá);B·陳 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 國(guó)際商業(yè)機(jī)器公司 |
| 主分類號(hào)： | H01J37/32 | 分類號(hào)： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京市中咨律師事務(wù)所 | 代理人： | 于靜;楊曉光 |
| 地址： | 美國(guó)*** | 國(guó)省代碼： | 美國(guó);US |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說(shuō)明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 用于 等離子體 蝕刻 期間 屏蔽 晶片 不受 帶電 粒子 影響 設(shè)備 方法 | ||
【說(shuō)明書】：
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