[發明專利]低介電常數無定形二氧化硅類被膜的形成方法及由該方法得到的低介電常數無定形二氧化硅類被膜有效
| 申請號： | 200380102612.1 | 申請日： | 2003-10-27 |
| 公開（公告）號： | CN1708839A | 公開（公告）日： | 2005-12-14 |
| 發明（設計）人： | 中島昭;江上美紀;小松通郎;中田義弘;矢野映;鈴木克己 | 申請（專利權）人： | 觸媒化成工業株式會社;富士通株式會社 |
| 主分類號： | H01L21/312 | 分類號： | H01L21/312;C09D183/02;C09D183/04;H01L21/316 |
| 代理公司： | 北京市金杜律師事務所 | 代理人： | 楊宏軍 |
| 地址： | 日本神*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 介電常數 無定形 二氧化硅 類被膜 形成 方法 得到 | ||
【權利要求書】：
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
