[其他]壓接觸ＧＴＯ－可控硅整流器

在審

• 申請號: 101987000005600
• 申請日: 1987-07-30
• 公開（公告）號: CN1003203B
• 公開（公告）日: 1989-02-01
• 發明（設計）人: 安德烈·杰克林;蒂博爾·帕科西;沃爾夫岡·齊默曼
• 申請（專利權）人: BBC勃朗·勃威力有限公司
• 代理公司: 中國專利代理有限公司
• 代理人: 吳秉芬

1、壓接觸GTO-可控硅整流器，包括

a）一個安裝在陰極面同陽極面之間，具有各種不同摻雜層的半導體片（2），

b）所述半導體片（2）至少在陰極面處做成臺面形，并具有由多個凸起的陰極凸臺（7）的柵極-陰極結構，這些陰極凸臺被深處的柵極區包圍，以及

c）半導體片（2）在其陰極凸臺（7）上總是復蓋著一層金屬化陰極層（6），陽極面處總是復蓋著一層金屬化陽極層;并帶有

d）一個陰極面的片形壓接件和一個陽極面的片形壓接件（1、3），這些片形壓接件被壓在陰極層及陽極層上，以實現接觸連接，其特征在于

e）壓接件（1，3）與半導體片（2）的壓力荷載接觸面上的平面偏差小于±5微米，和

f）壓接件（1，3）相互對準，以使它們中心軸之間的相互偏差小于500微米。

2、按照權利要求1的壓接觸GTO-可控硅整流器，其特征在于，陽極面是平的，并且至少要使陽極面的壓接件（3）在面向半導體（2）的那面上在其邊緣處被削平或銼園。

3、按照權利要求1的壓接觸GTO-可控硅整流器，其特征在于，壓接件（1，3）用鉬或鎢制成。

4、按照權利要求3的壓接觸GTO-可控硅整流器，其特征在于，壓接件（1，3）與半導體片（2）的平面偏差小于±1微米。

5、按照權利要求4的壓接觸GTO-可控硅整流器，其特征在于，壓接件（1，3）中心軸之間的相互偏差小于100微米。

6、按照權利要求1的壓接觸GTO-可控硅整流器，其特征在于，壓接件（1，3）的直徑大于20毫米。

7、按照權利要求1的壓接觸GTO-可控硅整流器，其特征在于

a）陰極凸臺（7）的寬度大于0.1毫米，

b）陰極凸臺（7）的長度大于1毫米，

c）陰極凸臺（7）之間溝深度在5至50微米之間，和

d）陰極凸臺（7）的數量大于100。

8、按照權利要求1的壓接觸GTO-可控硅整流器，其特征在于陰極面壓接件（1）的直徑要如此之大，至使壓接件的邊界超出陰極凸臺（7）。