[其他]攝象管靶

在審

• 申請號: 101987000004843
• 申請日: 1987-07-11
• 公開（公告）號: CN1004732B
• 公開（公告）日: 1989-07-05
• 發明（設計）人: 云內高明;野中育光;井上榮典
• 申請（專利權）人: 株式會社日立制作所
• 代理公司: 中國專利代理有限公司
• 代理人: 何耀煌;曹濟洪

本發明公開一種攝象管靶，它包括一層在透明基片上形成的Ｎ型導電薄膜、一層與該Ｎ型導電薄膜構成整流接觸的Ｐ型光電導薄膜和一個電子束射擊層；所述Ｐ型光電導薄膜包括含有砷和硒的、按次序命名的第一層、第二層和第三層，其中第一層中砷的平均濃度低于８％（按重量計），第二層和第三層的砷的濃度在８％至２０％的范圍內（按重量計），并且第三層的厚度在所述Ｐ型光電導薄膜的總厚度的５％至５０％的范圍內。

本發明涉及一種攝象管靶，更準確地說，涉及整流接觸型攝象管靶的一種改進的結構，該靶包括含有作為主要成分的硒、同時包含砷、碲或其他材料的P型光電導層以及電子束射擊層，該靶的特點是在長期工作期間信號電流對靶電壓的特性幾乎不變。

在美國專利第3，890，525，3，922，579，3，984，722，4，040，985和4，330，733號中公開了一種利用包含無定形硒、碲、砷及其他材料的P型光電導層和N型材料之間的整流接觸特性的攝象管靶。

這種類型的攝象管靶的優點是：高響應速度，幾乎沒有影象寄生光斑，高分辨率和易于制造。

圖1表示一種攝象管靶的主要部分的斷面。在透明的玻璃基片1的背面形成含有作為主要成分的SnO₂或In₂O₃的透明導電薄膜2。在透明的導電薄膜2的背面形成一層非常薄的硒化鋅、氧化鍺、氧化鈰、氟化鋰或類似材料的N型透明導電薄膜3。在N型透明導電薄膜3上淀積一層厚度為幾個微米的、含有作為主要成分的無定形硒的P型光電導薄膜14。在P型光電導層14上淀積一層厚度大約1000埃的Sb₂S₃或類似材料的電子束射擊層5。

來自景物的入射光6進入透明的玻璃基片1，同時掃描電子束7落在Sb₂S₃層5上、以便把所述光影象轉變成電信號。

因為硒對長波長的輻射不敏感，所以已經提出了這樣一種方法，即，在含硒層14的整流接觸附近厚度為幾百埃的區段內加入碲、其最大濃度為20%至50%（按重量計），以便改善對長波長輻射的靈敏度。美國專利第3，890，525和第4，040，985號中公開了這種方法。

用硒作為主要成分的無定形光電導層14容易由于加熱而結晶，結果導致在重現的圖象中出現白點。在整個P型光電導層14中攙入砷，以便增加粘度和減低結晶速度。如在美國專利第3，800，194號中所公開的，在這種情況下通過蒸發含有預定數量的硒和砷的化合物或者通過交替地蒸發小于100埃厚度的硒和As₂Se₃薄層來形成P型光電導層14。

上述普通類型的攝象管靶在靈敏度-靶電壓特性、飽和靈敏度-靶電壓特性以及暗電流的抑制方面還差得很遠。不好的飽和靈敏度特性要求應用比較高的靶電壓，而暗電流的增加導致重現的圖象的質量降低。

美國專利第4，219，831號公開了一種通過把攙入所述P型光電導層中的砷的總量限制在2.5%至6%（按重量計算）范圍內來改進靈敏度-靶電壓特性、飽和靈敏度-靶電壓特性以及抑制暗電流的方法。

日本專利公開（kokoku）第SHO.57-44030號公開了一種通過在P型光電導層的一定區域中（其厚度大約與由Sb₂S₃所組成的電子束射擊層的厚度相同，并且與電子束射擊層鄰接）攙入10%至20%（按重量計算）的砷的方法來避免由Sb₂S₃構成的電子束射擊層由于快速的溫度變化或者在高溫條件下工作而龜裂。

但是，上述普通攝象管靶的信號電流-靶電壓特性在長期連續工作期間由于靶中內部電場的變化而發生變化，結果使圖象質量降低。

改進信號電流-靶電壓特性以便重現高質量圖象一直是電視攝影機用戶的一項要求。

因此，本發明的一個目的是提供一種能夠消除在長期連續工作期間信號電流-靶電壓特性變化的攝象管靶。