[其他]控制棒

在審

• 申請號: 101987000001877
• 申請日: 1987-03-14
• 公開（公告）號: CN1004950B
• 公開（公告）日: 1989-08-02
• 發明（設計）人: 遠藤善一郎;福本隆;齊藤莊藏;五十嵐孝雄;吉本佑一郎;菅原敏;新保勝利
• 申請（專利權）人: 株式會社日立制作所
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利代理部
• 代理人: 李強

1、在包堆芯、用于控制所說堆芯的反應能力的控制棒、以及設置在所述堆芯下方以把所述控制棒插入所述堆芯的原子反應堆中的插入裝置，每個所述控制棒包中子吸收區，該中子吸收區中包含有由吸收核鏈型中子吸收劑制成的中子吸收器，該吸收核鏈型中子吸收劑是這樣的中子吸收劑，其中進一步吸收中子的核素為中子吸收反應形成的核素或蛻變核素，且這類吸收劑的中子吸收作用的衰減速度較低，和用以支承所述中子吸收器的支承裝置，其特征在于：

a）所述中子吸收區沿軸向被分成上、下兩區，所述上和下區包含有相同的中子吸收劑，且所述控制棒由所述插入裝置從所述上中子吸收區插入所述堆芯，

b）所述上、下兩區的邊界位于沿軸向距所述中子吸收區下端為所述中子吸收區全長的3/8到5/8的范圍內，

c）所述吸收核鏈型中子吸收劑的量在所述上和下區的所述邊界處變化且在所說下區中垂直于軸向的截面內所含的所述吸收核鏈型中子吸收劑的量小于在所述上區中垂直于軸向的截面內所含的所述吸收核鏈型中子吸收劑的量。

2、權利要求1的控制棒，其特征在于所述吸收核鏈型中子吸收劑在所述上區和所述下區的大部分沿軸向基本均勻一致。

3、權利要求1的控制棒，其特征在于所述中子吸收器為軸向延伸的一塊所述吸收核鏈型中子吸收劑制成的板，設置在所述上區中的所述板的上部分橫截面積大于所述下區中的該板的下部分的橫截面積。

4、由權利要求1所確定的控制棒，其特征在于所述中子吸收器為所述吸收核鏈型中子吸收劑制成的棒，各所述吸收核鏈型中子吸收劑棒均包在所述上區中的上部分和在所述下區中的直徑小于所述上部分的下部分。

5、由權利要求1所確定的控制棒，其特征在于所述吸收核鏈型中子吸收劑為從Hf，Ta，Ag-In-Cd合金和Eu₂O₃中選出的一種。

6、一種具有若干葉片，從下方插入反應堆芯的控制棒，以及多個由一種吸收核鏈型中子吸收劑構成的，并排列在所述葉片中的中子吸收棒的，其特征在于：

（a）所述中子吸收棒在軸向上被分為上、下兩區;

（b）所述上、下兩區的邊界位于從所述中子吸收棒的下端起，所述中子吸收棒全長的3/8到5/8的范圍內，

（c）所述中子吸收棒的所述下區的橫截面積小于所述上區的橫截面積。

7、由權利要求6所確定的控制棒，其中所述中子吸收棒的所述上區與下區的橫截面都為園形，所述上區和下區同軸。

8、由權利要求6所確定的控制棒，其中所述中子吸收棒沿軸向的粗細在所述上區和下區的大部分基本上均勻一致。

9、由權利要求6所確定的控制棒，其中吸收核鏈型中子吸收劑為Hf，Ta，Ag-In-Cd合金或Eu₂O₃。

10、一種控制棒，它包括：

一個中子吸收區，其中裝有多個由一種吸收核鏈型中子吸收劑構成的中子吸收器。

多個裝有圍繞所述中子吸收區并從下方插入反應堆芯的屏蔽套的葉片，

安裝在所述中子吸收器上的凹孔或貫通孔中和每個所述屏蔽套的相對側壁之間，并固定在所述側壁上的屏蔽套變形保護裝置;

所述控制棒的特征在于：

（a）所述中子吸收區沿軸向分為上、下兩區，