[其他]一種含硼銅基厚膜導體

在審

• 申請號: 101987000001846
• 申請日: 1987-03-07
• 公開（公告）號: CN87101846B
• 公開（公告）日: 1988-06-29
• 發明（設計）人: 譚富彬;趙玲
• 申請（專利權）人: 中國有色金屬工業總公司昆明貴金屬研究所
• 代理公司: 云南省專利事務所
• 代理人: 何通培

一種含硼銅基厚膜導體，包括使優先氧化材料Ｂ、Ａｌ、Ｚｎ同Ｃｕ合金化，使所得合金與Ｓｉ、Ａｉ、Ｃａ、Ｍｇ、Ｎａ、Ｋ、Ｃｏ、Ｐｂ、Ｚｎ的氧化物混合，加入有機載體以形成漿料，將漿料漏印到陶瓷基片上，并在５６０～８５０℃溫度范圍內和大氣中燒成。所制得的厚膜導體具有良好的導電性、抗濕性和較低成本，最佳電阻率≤１．２５×１０^-5Ω·ｃｍ，導體可用于微電路端接和多層布線。

本發明涉及金屬基厚膜導體。

在電氣和電子技術領域，用于微電路和混合集成電路的厚膜導體具有日益增長的重要性，已越來越廣泛地被用于各種電氣和電子裝置中。公知的、統統商用厚膜導體是以金、銀、鉑、鈀等貴金屬粉末為基體，加入作為粘結劑的玻璃粉，并同有機載體混合形成導電漿料，然后絲網漏印到陶瓷基片上，形成所需的圖案，于500～1000℃的峰值溫度下在大氣中燒成而制得的。但是，由于貴金屬資源的短缺和價格的昂貴，所以貴金屬導電漿料的廣泛使用受到限制。US·Pat.4400214公開了一種厚膜導電漿料。該漿料的成分為一種含合金粉末和玻璃粉末組成。合金的主要成分為CuAl、Zn和/或Ag，可選擇性地添加Sn0.5～5%或B0.01～0.5%。例如，其Cu-Al-Zn-B合金的成分為（Wt.%）Al2～8，Zn10～40，B0.01～0.5，Cu余量。其玻璃料成分為B₂O₃，SiO₂，M₂O（M＝Na，K，Li或其混合物），CaO，MgO，BaO，SrO，BeO。按照此專利提供的導電漿料，可在750～850℃的峰值溫度下于大氣中燒成而制得厚膜導體。所制得的厚膜導體的電阻率，當合金中的含銀量高達60%時，可獲得較好的結果，最佳方阻為0.01～0.05Ω/方（膜厚15～20μm），其相應的電阻率（按膜厚15μm計算）為1.5×10^-5～7.5×10^-5Ω·cm。但是，當合金中不含Ag或含Ag量較低（低于15%）時，則所制得的導體的最佳方阻僅為0.05～0.2Ω/方，其相應的電阻率為7.5×10^-5～30×10^-5Ω·cm。U·S·Pat.4070518公開了另一種銅基金屬化厚膜導體。該導體由銅粉和玻璃料粉組成。其玻璃料的主要成分為（Wt.%）：PbO40～70，PbF₂0～20，SiO₂7～27，Al₂O₃0～5，B₂O₃10～20，M₂O0.25～4（其中M＝Na，K或其混合物），CeO₂0～5，TiO₂0～6，此外還可添加10%以下的下列選擇成分：MgO，CaO，BaO，ZrO₂，MnO，CoO，ZnO等。在這種厚膜導體中，銅粉的含量為85～97Wt.%，玻璃含量為3～15Wt.%。但是，這種導體不能在高溫下于氧化性氣氛（例如空氣）中燒成，否則銅會氧化而降低其導電性，甚至變成不導電的，所以它只能在惰性氣氛中于700～1000℃的峰值溫度下燒成。但是，整個燒成時間一般需要2小時左右，這就要耗費大量的惰性氣體，例如氮氣，而氮氣也是價格較貴的氣體。所以，該項專利雖可節約貴金屬，但成本卻仍然較貴，而且需要維持惰性氣氛的專用爐子，操作復雜。

本發明的目的在于克服現有技術之不足，以提供一種可在氧化性氣氛中燒成的、導電性能良好、成本更低的銅基厚膜導體。