[其他]真空閥用接點(diǎn)材料及其制造方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 101987000000389
• 申請(qǐng)日: 1987-01-20
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN1003330B
• 公開(kāi)（公告）日: 1989-02-15
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 奧富功;千葉誠(chéng)司;大川幹夫;關(guān)口薰旦;遠(yuǎn)藤博;山下務(wù)
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 株式會(huì)社東芝
• 代理公司: 上海專利事務(wù)所
• 代理人: 顏承根

1、一種由（1）由Cu或/及Ag組成的導(dǎo)電材料和（2）由Cr、Ti及Zr中的至少一種金屬、或這些金屬和其他金屬的合金組成的耐弧材料所組成的真空閥用接點(diǎn)材料，其特征在于在上述導(dǎo)電材料基體中作為固溶體存在的耐弧材料的量為0.35重量%以下。

2、如權(quán)利要求1所述的材料，其特征在于在導(dǎo)電材料基體中作為固溶體存在的耐弧材料的量為0.01～0.35重量%。

3、如權(quán)利要求1所述的材料，其特征在于耐弧材料由含有從鐵和鉬中所選出的至少一種50重量%以下、且殘余部分由Cr組成的鉻基合金所組成。

4、如權(quán)利要求1所述的材料，其特征在于耐弧材料由含有從鉬MO、鎢W、釩V、鈮Nb和鉭Ta中所選出的至少一種50重量%以下、且殘余部分由鉻Cr組成的鉻基合金所組成。

5、如權(quán)利要求3所述的材料，其特征在于原料鉻Cr中鋁Al限制在10ppm以下，硅Si限制在20ppm以下、釩V限制在10ppm以下，鈣Ca限制在10ppm以下。

6、如權(quán)利要求4所述的材料，其特征在于原料鉻Cr中鋁Al限制在10ppm以下，硅Si限制在20ppm以下，鈣Ca限制在10ppm以下。

7、一種真空閥用接點(diǎn)材料的制造方法，其特征在于當(dāng)所得的合金材料為由（a）由銅Cu或/及銀Ag組成的導(dǎo)電材料和（b）由鉻Cr、鈦Ti及鋯Zr中至少一種金屬、或這些金屬和其他金屬的合金所組成的耐弧材料所組成的材料、且在上述導(dǎo)電材料基體中所存在的耐弧材料的量為0.35重量%以下時(shí)包含以下的工序（1）～（4），即：

（1）形成耐弧材料粉末的工序、

（2）將所得到成形體進(jìn)行燒結(jié)從而得到耐弧材料的骨架的工序、

（3）在所得到骨架中的空隙中熔浸導(dǎo)電材料的工序，

（4）當(dāng)對(duì)上述熔浸處理的材料進(jìn)行冷卻時(shí)，按下述的（ⅰ）～（ⅲ）中至少一種方法進(jìn)行該冷卻。

（ⅰ）將冷卻過(guò)程的冷卻溫度區(qū)間中所定的溫差區(qū)間的冷卻速度設(shè)定為能使上述真空閥用接點(diǎn)材料的溫度上升現(xiàn)象降低的值，并進(jìn)行冷卻;

（ⅱ）以上述冷卻溫度區(qū)間的所定溫度進(jìn)行加熱保溫，其所需時(shí)間僅為使上述真空閥用接點(diǎn)材料的導(dǎo)電率提高的時(shí)間。

（ⅲ）冷卻過(guò)程終了后、以上述冷卻溫度區(qū)間內(nèi)的所定再加熱溫度，使上述真空閥用接點(diǎn)材料再加熱。

8、如權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于在上述工序（4）中冷卻溫度區(qū)間800℃到400℃內(nèi)所定溫差間的100℃以每分鐘0.6℃到6℃的冷卻速度進(jìn)行冷卻。

9、如權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于在上述工序（4）中，以冷卻溫度區(qū)間800℃到400℃內(nèi)的任一溫度至少加熱保溫0.25小時(shí)。

10、如權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于在上述工序（4）中。在冷卻溫度區(qū)間400℃到800℃內(nèi)的任一個(gè)溫度上至少再加熱0.25小時(shí)。