[其他]超低溫?zé)Y(jié)PNN壓電陶瓷及其制造工藝

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 101986000008741
• 申請(qǐng)日: 1986-12-25
• 公開（公告）號(hào): CN86108741B
• 公開（公告）日: 1988-04-06
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 桂治輪;高素華;李龍土;張孝文
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 清華大學(xué)
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1、一種鈮鎳-鋯鈦酸鉛為材料的超低溫?zé)Y(jié)壓電陶瓷，其特征在于基料組成為Pb_1-xCd_x（Ni_1/3Nb_2/3）_yZr_zTi_wO₃+q₁wt%MnO₂+q₂wt%SiO₂+q₃wt%Pb₃O₄，其中

0.025≤x≤0.08，0.05≤y≤0.25，0≤≤0.60，

0.10≤w≤0.80，y++w=1，

0＜q₁≤1.0wt%,0＜q₂≤1.0wt%，0＜q₃≤4.0wt%。

2、一種制造權(quán)利要求1所述的超低溫?zé)Y(jié)壓電陶瓷的工藝，其特征在于用普通化工原料二氧化鋯（ZrO₂）、二氧化鈦（TiO₂）、四氧化三鉛（Pb₃O₄）、二氧化錳（MnO₂）、醋酸鎳（Ni（C₂〉H₃OO）₂·4H₂O）、碳酸鎘（CdCO₃）、二氧化硅（SiO₂），按權(quán)利要求1所述化學(xué)式配料，混合磨細(xì)后過60～80目，經(jīng)750℃～850℃予燒保溫1～2小時(shí)，粉碎后磨細(xì)，過200目篩得瓷料，把這種瓷料干壓成型為園片，在爐中敞開燒成，燒成溫度為840℃～1000℃，保溫時(shí)間為1-4小時(shí)。

3、按照權(quán)利要求2所說的制造超低溫?zé)Y(jié)壓電陶瓷工藝，其特征在于燒成溫度為860℃～900℃。

4、按照權(quán)利要求2，3所說制造超低溫?zé)Y(jié)壓電陶瓷工藝，其特征在于所說的普通化工原料為二氧化鋯（ZrO₂）、二氧化鈦（TiO₂）、四氧化三鉛（Pb₃O₄）、二氧化錳（MnO₂）、氧化鎳（NiO）、氧化鎘（CdO）、二氧化硅（SiO₂）。

5、一種制造權(quán)利要求1所述的超低溫?zé)Y(jié)壓電陶瓷的工藝，其特征在于用普通化工原料二氧化鋯（ZrO₂）、二氧化鈦（TiO₂）、四氧化三鉛（Pb₃O₄）、二氧化錳（MnO₂）、醋酸鎳（Ni（C₂H₃OO）₂·4H₂O），碳酸鎘（CdCO₃）、二氧化硅（SiO₂），按權(quán)利要求1所述化學(xué)式配料，混合磨細(xì)后過60～80目，經(jīng)750℃～850℃予燒保溫1～2小時(shí)，粉碎后磨細(xì)，過200目篩得瓷料，把這種瓷料干壓成園片，將園片放在坩堝中密閉蓋燒，燒成溫度范圍為840℃～1000℃，保溫時(shí)間為1～4小時(shí)。

6、按照權(quán)利要求5所說的制造工藝，其特征在于燒成溫度范圍為860℃～900℃。

7、按照權(quán)利要求5、6所說的制造工藝，其特征在于所說的普通化工原料為二氧化鋯（ZrO₂）、二氧化鈦（TiO₂）、四氧化三鉛（Pb_３O_４）、二氧化錳（MnO₂）、氧化鎳（NiO）、氧化鎘（CdO）、二氧化硅（SiO₂）。