[其他]線性厚膜負溫度系數熱敏電阻器

在審

• 申請號: 101986000008011
• 申請日: 1986-11-15
• 公開（公告）號: CN86108011B
• 公開（公告）日: 1988-10-26
• 發明（設計）人: 熊世英
• 申請（專利權）人: 國營宏明無線電器材廠
• 代理公司: 成都科奧專利事務所
• 代理人: 袪溶蘭

在同一塊瓷基片的兩面，分別印刷兩個特性不同的熱敏電阻，兩個熱敏電阻串聯成為負溫度系數熱敏電阻，印刷第一個熱敏電阻的漿料為ＣｏＭｎＮｉ熱敏基料、ＲｕＯ₂、Ａｇ粉導電玻璃、粘合劑玻璃、導電玻璃中ＲｕＯ₂的含量占１５～２５％、Ａｇ粉的含量占ＲｕＯ₂量的１０～３０％（重量比），阻值比為Ｒ₂₅／Ｒ₅₀＝１．２２±２％。第二個熱敏電阻的漿料由ＭｎＣｏＣｕ熱敏基料、ＲｕＯ₂、Ａｇ粉導電玻璃、玻璃粘合劑組成，導電玻璃中、ＲｕＯ₂／Ａｇ＝１（重量比）配制成Ｂ＝３４００６ｋ±２％的漿料，兩個熱敏電阻互補正配成與線性方程相比，非線性偏離＜±１％的熱敏電阻。

本發明的技術領域是厚膜負溫度系數熱敏電阻器。

一般的厚膜熱敏電阻其阻值-溫度特性曲線是指數規律變化，即R_T＝R_TOEXP〔B（1/T-1/To）〕其中

RT：熱敏電阻溫度為T（K）時的電阻值。

RTo：熱敏電阻溫度為To＝298.15K時的電阻值。

B：熱敏電阻的材料常數。

為使RT-T特性近似于線性變化，B值必須控制在200K以下，這必然導致TCR明顯降低。例如，當B＝38°K時，非線性偏離度ε≤±1%，但TCR≈-4×10^-4/°K，這是普通碳膜電阻都能達到的。當B＝160°K時，TCR約為-1.8×10^-3/°K，但線性溫區只有-10～+10℃的范圍，因此，單純從降低熱敏電阻常數的角度制造線性熱敏電阻并非良策。

日本特許公開昭57-208105采用SnO₂-TiO₂-RuO₂漿料研制了一系列B＜500K的配方，但仍是指數特性，非線性偏離度ε≤±1%的溫區只有-10～+10℃，公開特許公報昭58-2001采用重量百分比為30～90%的尖金石或金紅石結構的氧化物和重量百分比為2～70%的含有5～60%的氧化釕（RuO₂）玻璃粉末所制成的厚膜熱敏電阻配方，其B約為2700°K左右，也是非線性的。綜上所述，厚膜熱敏電阻的線性化是一個長期未解決的技術難題。

本發明的目的在于提供一種非線性偏離度小、線性范圍寬、又不降低始溫度系數（a₁）的厚膜熱敏電阻器。

本發明的特點是在同一瓷基片上印刷兩個特性不同的熱敏電阻器將兩個熱敏電阻串聯組配，使非線性偏離度減小。

本發明包括第一個熱敏電阻M₁和第二個熱敏電阻M₂，兩個熱敏電阻都是負溫度系數的。將第一個熱敏電阻M₁與第二個熱敏電阻M₂串聯。M₁與M₂串聯時，合成電阻值RM為兩個熱敏電阻電阻值之和。

RM＝RM₁+RM₂

其中RM：合成電阻器的電阻值。

RM₁：第一個熱敏電阻M₁的零功率電阻值或實際阻值。

RM₂：第二個熱敏電阻M₂的零功率電阻值或實際阻值。

M₁是亞線性的，M₂是線性的，RM₁＞＞RM₂