[其他]非晶碳-非晶硒復印感光體(復印鼓)

在審

• 申請號: 101986000007478
• 申請日: 1986-10-28
• 公開（公告）號: CN1005655B
• 公開（公告）日: 1989-11-01
• 發明（設計）人: 王若寶;何大韌
• 申請（專利權）人: 西北大學
• 代理公司: 西安西達專利代理有限責任公司
• 代理人: 朱恪孝;李衛國

本發明是ａ－Ｃ：Ｈ／ａ－Ｓｅ合金和ａ－Ｓｅ／Ａｌ復印感光體（復印鼓）及其制造方法。為了尋找一種具有優異的抗磨損能力和物理、化學性能穩定、并具良好的復印性能、使用壽命長、制造工藝簡單、價格低廉易于工業化制造的新型復印感光體（復印鼓），可采用直流或高頻輝光放電法分解乙炔（Ｃ₂Ｈ₂），戍烷（Ｃ₅Ｈ₁₂）或其它碳氫化合物得到含氫碳，并使之沉積在ａ－Ｓｅ或ａ－Ｓｅ合金膜上而制成。沉積ａ－Ｃ：Ｈ膜時襯底溫度０－８０℃生長速率可控制在０．１－１／秒，膜的厚度為１００－１０００。

本發明是關于復印機中使用的一種新型復印感光體（復印鼓）及其制造方法。

當前復印技術中使用的復印感光體（復印鼓），按制造復印感光體（復印鼓）所用的光導性絕緣材料分，有非晶態硒（包括硒合金）鼓、氧化鋅鼓、硫化鎘鼓、有機光導材料鼓、非晶態硅鼓等。其中以a-Se或a-Se合金（非晶態硒）鼓使用量最大。按復印鼓結構分有單層結構：如a-Se/Al結構的非晶態硒鼓;多層結構鼓：如a-Se-Te合金/a-Se/Al鼓，Si₃N₄/a-Si/Al鼓，SiC/a-Si/Al鼓，a-Si/SiC或Si₃N₄/Al鼓等。用a-Se及a-Se合金制成的復印感光體（復印鼓）具有良好的復印性能，制造工藝簡單、成本低等優點。但也有一些重要缺點，一是硒或硒合金硬度很低，極易擦傷和磨損。二是熔點、玻璃轉變溫度、結晶化溫度低，在復印過程中不斷受到熱、光、電等物理因素的作用，使a-Se或a-Se合金很容易改性，使復印性能劣化。由于這兩方面的原因，a-Se或a-Se合金復印感光體（復印鼓）的使用壽命較短。一般廠家選取復印5萬張作為壽命標準，大約一年到一年半就需更換復印鼓。給用戶經濟上增加了負擔和工作上帶來了不便。

本發明的目的是為了提供既具有優異的機械性能和抗磨損能力、物理、化學穩定性高，又可提高使用壽命、制造工藝簡單、經濟合算的一種新型的非晶碳-非晶硒復印感光體（結構為a-c∶H/a-Se或a-Se合金/Al）。

本發明采用了非晶態材料a-C∶H（含氫非晶態碳）。新復印感光體（復印鼓）是在予先加工好的鋁（Al）鼓基上，先沉積a-Se膜和a-Se合金膜、和a-Se膜的沉積方法是通常的真空蒸發鍍膜。a-C∶H膜是采用直流或高頻輝光放電法制備的。把乙炔（C₂H₂）或戍烷（C₅H₁₂）或其它氣態碳氫化合物用氬（Ar）、氫（H₂）或氮（N₂）稀釋后通入輝光放電反應室，混合氣體的流量為0.1-1.0升/分，鋁鼓基襯底溫度0-80℃。加上直流或交流高壓產生輝光放電，使氣態碳氫化合物分解，分解出來的含氫碳即沉積在a-Se或a-Se合金膜層上。沉積a-C∶H膜時生長速率控制在＊秒，生長速率不宜快，太快成膜的質量不好。沉積的a-C∶H膜厚度為100-1000＊。這樣，a-C∶H/a-Se合金和a-Se/Al復印感光體（復印鼓）即可制成。新型復印感光體（復印鼓）也可以在制備硒鼓的鍍膜機內一次完成，鍍膜機加以改裝、在蒸鍍完a-Se和a-Se合金膜后，停止硒源的加熱電流，然后通入N₂趕出殘余的硒蒸汽，再通入反應混合氣，加上高壓進行輝光放電分解乙炔或戍烷沉積a-C∶H膜，制備過程中鋁鼓基應不停地轉動，使大面積均勻成膜即可制得。