[其他]光記錄裝置

在審

• 申請號: 101986000007205
• 申請日: 1986-10-15
• 公開（公告）號: CN1004948B
• 公開（公告）日: 1989-08-02
• 發明（設計）人: 坪井信義;渡部篤美;佐藤美雄;田智;佐佐木宏
• 申請（專利權）人: 株式會社日立制作所
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利代理部
• 代理人: 李強

確定光記錄介質在被加熱到第一溫度以上之后受到冷卻的第一狀態的光點，和確定光記錄介質在被加熱到室溫以上但不超過第一溫度的第二溫度之后受到冷卻的第二狀態的光點，即，兩個光點照在光記錄介質上，并處在其上的同一導軌中，其中通過控制每個光點的光點直徑和／或它們的光強，在光記錄介質上記錄和消抹信號。

本發明涉及光記錄裝置，特別是涉及光記錄方法和使用適于利用光記錄介質的方法的裝置，在上述光記錄介質中信號是根據以下事實記錄的，當光點照射到光記錄介質上時，因為該處的溫度升高，介質的光學特性發生了變化。

如在JP-A-59-68844中所描述的裝置，在其中將激光聚集成大約1微米（um）的很小直徑的激光束并照射到如覆蓋著光敏記錄材料的旋轉光記錄盤上，以使高密度地記錄信號和再現記錄的信號，這種裝置具有下列優越到：因為高記錄密度，所以可降低每位的存貯成本，可高速存取;在記錄和讀出過程中光學頭和光記錄盤互不接觸并因此改進了光記錄盤和光記錄裝置的可靠性，這樣該裝置已被看成給未來信息化社會提供的新的記錄裝置和介質。

作為用于光記錄的記錄介質，已提出如具有薄記錄膜可由激光的熱能蒸發在薄膜中產生小孔的介質的具有其光密度可由激光的熱能改變的記錄薄膜的介質。

另外，對于在其中光密度可改變的記錄薄膜，已報道用非晶薄膜可以可逆地改變光密度。光密度可以可逆地改變的事實意味著信號可以記錄，再現和抹掉;然而，由非晶材料制造的記錄薄膜很不穩定，即，非晶材料的晶化也可在室溫下發生，因而這種薄膜不適于長期儲存記錄的數據。（Te），硒（Se）和錫（Sn）用來提高記錄的靈敏度;但這些材料對人體有害的影響，并且在制造薄膜時或處理上述材料的廢棄物時，有產生污染問題的可能性。另外，高記錄靈敏度意味著薄膜對于溫度，光等的影響是敏感的，它導致保留記錄數據的保持問題。

作為光記錄介質，還發展了合金，在合金中可在兩個不同的晶體狀態之間發生相變，并可用這些晶體間光反射系數的不同實現信息的記錄和消除。這種合金在JP-A-60-186825和JP-A-61-9542中描述。

對于有高密度記錄能力的記錄介質，特別需要高速記錄功能去記錄日益增加的信息量。

因此本發明的目的是提供光記錄裝置，在其中信息可以高速地記錄。

本發明的另一目的是提供光記錄裝置，在其中信息可以高速地消抹和再記錄。

本發明的另一目的是提供光記錄的裝置，在其中實現高溫加熱和高速冷卻的記錄操作以及進行加熱和緩慢冷卻的消抹操作是很容易完成的。

根據本發明的實施方案，光記錄介質的記錄位置預熱到低于預定的記錄所需溫度的一個溫度上，并根據記錄信息將該位置加熱到超過預定溫度的溫度，這樣就將信息記錄下來。更具體地，兩個在位置上相鄰的光點沿著記錄軌道照在光記錄介質上，其中的前光點預熱記錄位置，而后光點在其上記錄信息。

根據本發明的另一實施方案，使用光記錄介質，在其中通過將記錄介質加熱至等于或高于第一個溫度的溫度處實現記錄操作，通過將記錄介質加熱到第一個溫度與高于第一個溫度的第二個溫度之間的溫度以實現消抹操作，在此兩個相互緊鄰的光點沿著記錄軌道照在光記錄介質上，使得前光點將記錄位置加熱到第一個溫度和第二個溫度之間的溫度上，由此抹掉了記錄的信息并同時預熱了記錄位置，而后光點根據待記錄信息將記錄位置加熱到不低于第一個溫度的溫度上，從而記錄了信息。