[其他]電阻—氧化物—半導體場效應晶體管在審
| 申請號： | 101986000001937 | 申請日： | 1986-03-22 |
| 公開（公告）號： | CN86101937B | 公開（公告）日： | 1988-05-18 |
| 發明（設計）人： | 葉安祚;楊長根 | 申請（專利權）人： | 江西大學 |
| 主分類號： | 分類號： | ||
| 代理公司： | 江西省專利服務中心 | 代理人： | 郭毅力;喻尚威 |
| 地址： | 江西省*** | 國省代碼： | 江西;36 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 電阻 氧化物 半導體 場效應 晶體管 | ||
【權利要求書】：
1、一種電阻-氧化物-半導體場效應晶體管，由一種導電類型的源區（14）和漏區（16）、另一種導電類型的襯底（15）、以及柵極氧化層（13）和柵極電阻層（12）組成，其特征是在柵極電阻層的兩端制作兩個歐姆接觸電極，它們的聯線方向與源漏間的聯線方向垂直。
2、根據權利要求1所述的場效應管，其特征是柵極電阻層的電阻率為均勻的。
3、根據權利要求1所述的場效應管，其特征是柵極電阻層用多晶硅生長法生成。
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