[其他]半導體集成電路

在審

• 申請號: 101986000000522
• 申請日: 1986-03-07
• 公開（公告）號: CN1003149B
• 公開（公告）日: 1989-01-25
• 發明（設計）人: 西井雅晴;栗原一夫
• 申請（專利權）人: 三洋電機株式會社;東京三洋電機株式會社
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利代理部
• 代理人: 馬連富;許新根

1、一種半導體集成電路，它包括一個在第1導電型半導體基片上形成的第1導電型和與第1導電型反向導電型的第2導電型的外延層，一個把該外延層分離為島狀所形成的數個島區，一個在該島區表面層上以同一擴散深度和同一雜質濃度形成為上下兩層的第1導電型第1基極區和第2導電型的發射極區;其特征在于該種半導體集成電路由數個雙極晶體管構成，通過設置部分重疊于一個或幾個特定的晶體管發射極區且擴散深度深于第1基極區的第2基極區，使上述特定晶體管的h_FE值小于通常的晶體管的值，并且通過選擇的所述第2基極區和所述發射極區的重疊量為所定的量，使被集成的晶體管具有兩種以上不同的h_FE值。

2、根據權利要求1所述的半導體集成電路，其特征在于所述的雙極晶體管第2基極區在所述第1基極區周圍部分制造成呈環形平面形狀。

3、根據權利要求2所述的半導體集成電路，其特征在于所述的雙極晶體管環形第2基極區與所述島區形成的結合境界的深層端緣部分形成為較深的所定的圓形。