[其他]生產摻氟化錫涂層的改進的化學氣相沉積法

在審

• 申請號: 101985000009272
• 申請日: 1985-12-21
• 公開（公告）號: CN1005996B
• 公開（公告）日: 1989-12-06
• 發明（設計）人: 喬治·H·林德
• 申請（專利權）人: MT化學有限公司
• 代理公司: 上海專利事務所
• 代理人: 徐志奇

1、一種制備摻氟氧化錫涂層的改進的化學氣相沉積法，包括：

（a）形成一種包含有機氟摻雜劑和有機錫化合物的液態涂層組合物，所述的組合物包括：

（1）1～30%（重量）有機氟摻雜劑，其中至少有一個氟原子位于官能團的α位或β位，官能團中的碳原子與選自羧酸、酸酐、酯、醇、酮、?；u或醚等中的氧原子鍵合，以及

（2）70～90%（重量）有機錫化合物，它為一種三氯化烷基錫、二氯化二烷基錫、烷基二氯化錫乙酸酯、烷基氯化錫二乙酸酯或三氯化錫酯或四氯化錫

（b）汽化所述的液態涂層組合物而進入濕潤的載氣中以形成一種載氣、水、有機氟摻雜劑和有機錫混合物的氣相混合物

（c）沉積所述的氣相混合物到一襯底上而形成所述的涂層，其特征為：

所述的組份的蒸氣濃度是這樣的，即參數M定義為：

其中：

（AIR）是載氣的摩爾濃度;

（H₂O）是載氣中水的摩爾濃度;

（OFO）是載氣中有機氟摻雜劑的摩爾濃度;

（O）是載氣中有機錫化合物的摩爾濃度;

從而，在所述的M值大于0小于50，000時，制得具有一個恒定的和最低的薄層電阻的摻氟氧化錫涂層。

2、根據權利要求1所述的方法，其特在于所述的M值為20，000或大于0小于20，000。

3、根據權利要求1所述的方法，其特征在于涂層厚度為180～210納米（nm）時所述的薄層電阻約為25歐/方（Ohms/sq·）。

4、根據權利要求1所述的方法，其特征在于所述的液態涂層組合物包括2～10%（重量）所述的有機氟摻雜劑和90～98%（重量）所述的有機錫化合物。

5、根據權利要求1所述的方法，其特征在于所述的組合物包括2～10%（重量）所述的有機氟摻雜劑、80～97%（重量）所述的有機錫化合物和1～10%（重量）所述的極性有機化合物。

6、根據權利要求5所述的方法，其特征在于所述的極性有機化合物為乙酸酐。

7、根據權利要求1所述的方法，其特征在于所述的汽化溫度為100～400℃。

8、根據權利要求1所述的方法，其特征在于所述的沉積溫度為高于400℃低于700℃。

9、根據權利要求1所述的方法，其特征在于所述的襯底為玻璃。

10、根據權利要求1所述的方法，其特征在于所述的有機錫化合物為三氯化一丁基錫、二氯化二丁基錫、丁基二氯化錫乙酸酯、丁基氯化錫二乙酸酯或三氯化乙酯基亞乙基錫。