[其他]MOS場效應晶體管的柵壓溫度篩選方法在審
| 申請號： | 101985000007886 | 申請日： | 1985-10-18 |
| 公開（公告）號： | CN85107886B | 公開（公告）日： | 1988-02-24 |
| 發明（設計）人： | 苗慶海;劉可辛 | 申請（專利權）人： | 山東大學 |
| 主分類號： | 分類號： | ||
| 代理公司： | 濟南三達專利事務所 | 代理人： | 王緒銀;楊富賢 |
| 地址： | 山東省*** | 國省代碼： | 山東;37 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | mos 場效應 晶體管 溫度 篩選 方法 | ||
【權利要求書】：
1、一種MOS場效應晶體管的篩選方法，包括：
（1）首先測量待試驗晶體管的閾電壓VT。
（2）將晶體管的源極和漏極短路，柵極和源極之間施加直流偏壓，置于恒溫中老化。
（3）保持柵源偏壓不變，取出晶體管置于室溫中冷卻至室溫，再去除偏壓。
（4）再測量晶體管的閾電壓值VT′。
（5）比較閾電壓值ΔVT＝｜VT′-VT｜，△VT大的晶體管即為穩定性和可靠性差的晶體管。
其特征在于在所述恒溫老化同時，在MOS場效應晶體管的柵極與源漏極之間加直流偏壓，而源極與漏極是（相互）短路的。
2、根據權利要求1所說的篩選方法，其特征在于晶體管柵極與源極所加電壓為10-25伏（1×106伏/厘米），老化溫度為150℃-170℃。
下載完整專利技術內容需要扣除積分，VIP會員可以免費下載。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于山東大學，未經山東大學許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/101985000007886/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
