[其他]雙端自適應(yīng)折疊位線(xiàn)布線(xiàn)

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 101985000007658
• 申請(qǐng)日: 1985-10-14
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN1005797B
• 公開(kāi)（公告）日: 1989-11-15
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 阿斯溫·H·肖赫;理查德·R·沃馬克
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 得克薩斯儀器公司
• 代理公司: 上海專(zhuān)利事務(wù)所
• 代理人: 馮曉明

在隨機(jī)存取存貯器列陣中用作尋址存貯單元的布線(xiàn)包括被劃分成多個(gè)段的位線(xiàn)對(duì)，在其同成對(duì)的位線(xiàn)的兩根耦聯(lián)的每一端都有讀出放大器，字線(xiàn)對(duì)耦聯(lián)在各根位線(xiàn)上的存貯單元尋址，當(dāng)一對(duì)存貯單元讀出時(shí)位線(xiàn)斷開(kāi)，使一個(gè)存貯單元經(jīng)過(guò)位線(xiàn)耦聯(lián)到讀出放大器上。存貯單元經(jīng)過(guò)段線(xiàn)耦聯(lián)到位線(xiàn)上，用每根段線(xiàn)與根位線(xiàn)的存貯單元的子列陣相連以減少出現(xiàn)在讀出放大器上的電容，通過(guò)使讀出放大器存取一個(gè)以上位線(xiàn)對(duì)可增加存貯器列陣的密度。

本發(fā)明涉及集成電路動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存貯器的經(jīng)改進(jìn)的設(shè)計(jì)和操作布線(xiàn)。

在動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存貯器用的讀出放大器設(shè)計(jì)中，一種稱(chēng)之為折疊位線(xiàn)的通用技術(shù)被用來(lái)提高信噪比，在那種布線(xiàn)中，在二條平行的位線(xiàn)之間產(chǎn)生可讀出的微小電壓差。此類(lèi)布線(xiàn)的目的是把由于噪音或工藝變化而使讀出放大器中出現(xiàn)的差分信號(hào)減至最低限度。通過(guò)將位線(xiàn)緊密地布設(shè)在一起并使其幾何上匹配，大多數(shù)噪音被讀出放大器看作為是共模信號(hào)（Common mode signal），因?yàn)樽x出放大器被設(shè)計(jì)成檢測(cè)差分電壓，這種共模噪音信號(hào)就不會(huì)影響數(shù)據(jù)的讀出。

這樣一種折疊位線(xiàn)法得以實(shí)現(xiàn)的關(guān)鍵事項(xiàng)是在一個(gè)存貯單元的間距里能運(yùn)行二條字線(xiàn)。一條單獨(dú)的位線(xiàn)能讀出的只是一個(gè)存貯單元的電荷。兩根平行的位線(xiàn)通常其每一根被看作是半根位線(xiàn)，每一完整的位線(xiàn)可以讀出的只有一位數(shù)，因?yàn)樵撐痪€(xiàn)被折疊成二根平行的半根位線(xiàn)，在一根位線(xiàn)分立的各半上的相鄰的存貯單元必須通過(guò)分立的字線(xiàn)來(lái)尋址。在圖1中表示了此類(lèi)尋址布線(xiàn)。如果要將存貯單元的尺寸減小到小于字線(xiàn)間隔的二倍，則不能用這種折疊位線(xiàn)布線(xiàn)，或在存貯單元的陣列里必須保留無(wú)用的空白區(qū)。

所以，本發(fā)明的目的是提出一種經(jīng)改進(jìn)的設(shè)計(jì)和信號(hào)連接布線(xiàn)，據(jù)此，諸如在折疊位線(xiàn)中形成的差分讀出能夠用小的存貯單元，本發(fā)明的另一個(gè)目的是改進(jìn)由小存貯單元組成的大陣列的存貯密度。

因此，按照本發(fā)明，兩根平行位線(xiàn)在其兩端各有差分讀出放大器，在平行位線(xiàn)上的相鄰存貯單元由單根字線(xiàn)尋址。通過(guò)通路晶體管（pass transistor）將兩根位線(xiàn)電氣切斷，以便一根位線(xiàn)將一個(gè)存貯單元耦聯(lián)到一個(gè)讀出放大器上去，而另一個(gè)存貯單元耦聯(lián)到另一個(gè)讀出放大器上去。采用這種布線(xiàn)，通過(guò)單根字線(xiàn)能存取二位。為了減少不希望有的電容量，可以把存貯單元分為幾段，而這些段可有選擇地與位線(xiàn)耦聯(lián)。只有包含選有存貯單元的段在該存貯單元被讀出時(shí)才能被耦聯(lián)到位線(xiàn)上，所以在讀出放大器上只有加上位線(xiàn)的一段線(xiàn)的電容。位線(xiàn)和讀出放大器的重復(fù)的線(xiàn)性圖使每個(gè)讀出放大器在其任何一端，但不同時(shí)地從位線(xiàn)中檢出信號(hào)。

本發(fā)明的新穎特征由下列的權(quán)利要求所限定。本發(fā)明的上述和其它目的及其優(yōu)點(diǎn)將在下文中揭示，同時(shí)為了說(shuō)明本發(fā)明而不是為了限制本發(fā)明，若干個(gè)最佳實(shí)施例伴隨相應(yīng)的附圖加以闡明。

附圖的簡(jiǎn)要說(shuō)明：

圖1.表示采用先有技術(shù)的折疊位線(xiàn)布線(xiàn)的部分動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存貯器陣列;

圖2.表示采用折疊位線(xiàn)布線(xiàn)和較小存貯單元的部分動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存貯器陣列;

圖3.按照本發(fā)明的雙端自適應(yīng)折疊位線(xiàn)布線(xiàn)的局部示意圖;

圖4.連同雙端自適應(yīng)折疊位線(xiàn)布線(xiàn)一起說(shuō)明分段尋址的部分動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存貯器陣列;

圖5.按照本發(fā)明的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存貯器陣列的局部示意圖。

圖6.按照本發(fā)明說(shuō)明擴(kuò)展的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存貯器陣列的方框圖。

參見(jiàn)圖1，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存貯器（DRAM）陣列〔10〕的一小部分被示出。圖1說(shuō)明先有技術(shù)的利用一個(gè)耦聯(lián)到平行的兩排存貯單元〔12〕上的讀放大器來(lái)讀出近似值的折疊位線(xiàn)。如圖所示，存貯單元〔12〕是足夠大的，它可將兩根字線(xiàn)WL1，WL2，WL3，WL4布設(shè)在以上的每個(gè)存貯單元〔12〕中。可交替字線(xiàn)WL1，WL2，WL3，WL4只能與上排或下排的存貯單元相連。此處，第一根和第三根字線(xiàn)WL1，WL3同低位線(xiàn)BL2相耦聯(lián)，而第二根和第四根字線(xiàn)WL2，WL4同高位線(xiàn)BL1相接觸。只有一根字線(xiàn)時(shí)將被同時(shí)觸發(fā)，從而使一個(gè)信號(hào)出現(xiàn)在低位或高位位線(xiàn)上，但二者不同時(shí)出現(xiàn)。一種類(lèi)似的安排也應(yīng)當(dāng)是存貯單元〔12〕在字線(xiàn)縱向上而不是在位線(xiàn)上工作，但是其存貯密度和方式應(yīng)當(dāng)是基本相同的。