[其他]高速硅光敏三極管

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 101985000005936
• 申請日: 1985-08-08
• 公開（公告）號: CN85105936B
• 公開（公告）日: 1987-11-25
• 發(fā)明（設計）人: 何民才
• 申請（專利權(quán)）人: 武漢大學
• 代理公司: 武漢大學專利事務所
• 代理人: 陳暢生;龔茂銘

1、一種高速硅光敏三極管，其特征在于：所說的光敏三極管的受光面包括暴露于受光面的集電區(qū)和基區(qū)，所說的基區(qū)為網(wǎng)格狀，所說的暴露于受光面的集電區(qū)位于被基區(qū)包圍的網(wǎng)眼部分;所說的光敏三極管的集電區(qū)不僅包括通常的位于基區(qū)下部的集電區(qū)，而且還包括與下部集電區(qū)相通的，多個位于被基區(qū)包圍的網(wǎng)眼部位的暴露于受光面的集電區(qū)。

2、根據(jù)權(quán)利要求1所述的高速硅光敏三極管，其特征在于：發(fā)射區(qū)由兩條以上細條組成。

3、根據(jù)權(quán)利要求1所述的高速硅光敏三極管，其特征在于：襯底材料選用電阻率為0.4-20Ω-Cm，層厚為6-8μm的N型硅外延片。