[其他]半導(dǎo)體集成電路的圖形設(shè)計(jì)方法和器件在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 101985000004935 | 申請日: | 1985-06-27 |
| 公開(公告)號: | CN85104935B | 公開(公告)日: | 1988-02-03 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 姐齒伸彥;馬場重典 | 申請(專利權(quán))人: | 富士通株式會社 |
| 主分類號: | 分類號: | ||
| 代理公司: | 中國國際貿(mào)易促進(jìn)委員會專利代理部 | 代理人: | 張衛(wèi)民 |
| 地址: | 日本國211神奈川縣.*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 半導(dǎo)體 集成電路 圖形 設(shè)計(jì) 方法 器件 | ||
通過部分重疊兩個相鄰單元,使它們具有與導(dǎo)線連接以提供功率的共用端區(qū),而增加根據(jù)標(biāo)準(zhǔn)單元法設(shè)計(jì)的LSI的封裝密度。為此,沿單元行方向的側(cè)面端區(qū)圖形,其形狀,尺寸和在每個單元中的位置都被標(biāo)準(zhǔn)化,并存貯在一個CAD系統(tǒng)的單元庫里。同時還存貯進(jìn)一個新增加的符號,以便在用顯示屏幕進(jìn)行芯片設(shè)計(jì)的過程中,用這個符號來指示重疊的區(qū)域。
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體集成電路的圖形設(shè)計(jì)方法以及由該方法制造的器件,更確切地說,是涉及對根據(jù)被稱作標(biāo)準(zhǔn)單元法的邏緝大規(guī)模集成電路的電路圖形設(shè)計(jì)方法所進(jìn)行的改進(jìn)。
近來,半導(dǎo)體集成電路的精細(xì)圖形技術(shù)使邏緝大規(guī)模集成電路(邏緝LSI)可以在每個芯片上制成幾個到幾萬個門電路。另一方面,對各種各樣為滿足客戶特殊要求而特別定做的邏緝LSI的需求也增加了。這些專門訂貨的邏緝LSI同一些通用LSI,如大規(guī)模存儲集成電路相比,生產(chǎn)的批量很小,但要求在很短的時間內(nèi)完成從設(shè)計(jì)到產(chǎn)品發(fā)貨的整個生產(chǎn)周期。
生產(chǎn)這種完全訂做的LSI必需從在芯片上設(shè)計(jì)和布置晶體管的位置開始,最優(yōu)化的設(shè)計(jì)決定于芯片面積利用率和電路特性的綜合效益,但是,這樣一種完全訂貨性設(shè)計(jì)是有缺點(diǎn)的,它一般需要長達(dá)半年以上的設(shè)計(jì)周期,對已經(jīng)最優(yōu)化了的芯片設(shè)計(jì)進(jìn)行修改的靈活性低。因此,已經(jīng)提出了一些方法,如門陣列和標(biāo)準(zhǔn)單元方法,以便在較短的周期內(nèi)發(fā)展具有設(shè)計(jì)上靈活性的訂貨性LSI。
在門陣列方法中,只要在一塊庫存的已經(jīng)預(yù)先做好了晶體管的硅片上按電路網(wǎng)絡(luò)的要求進(jìn)行布線即制成所訂做的邏緝LSI。這樣,制造客戶電路所必須的掩膜版大約只有制造整個LSI的掩膜版數(shù)量的三分之一。
標(biāo)準(zhǔn)單元的方法利用了預(yù)先限定的單位電路的圖形一單元,單元相當(dāng)于邏緝門,如與非門,或非門,反相器,觸發(fā)器等。這些單元的圖形做為一個程序庫存儲在計(jì)算機(jī)系統(tǒng)里,采用計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)(CAD)的方法根據(jù)單元的布置和單元之間的相互連接而實(shí)現(xiàn)LSI芯片的設(shè)計(jì)通路,同時制出了各種LSI用的整套掩膜版。
標(biāo)準(zhǔn)單元法有以下特點(diǎn):(a)象晶體管那樣的電路元件的電特性和圖形的信息已經(jīng)很好地編制在CAD系統(tǒng)的程序庫里,可以獲得對LSI芯片設(shè)計(jì)的有效控制;(b)做為結(jié)果,芯片設(shè)計(jì)中容易發(fā)生的錯誤減少了;(c)與門陣列方法相比,芯片面積的利用率更高。由此,標(biāo)準(zhǔn)單元法在芯片設(shè)計(jì)方面有相當(dāng)大的自由,不需要電路元件的專門知識也可以進(jìn)行設(shè)計(jì),減小了LSI發(fā)展中所冒的風(fēng)險。
圖1是按照標(biāo)準(zhǔn)單元方式進(jìn)行的一個示例性布置和連線的示意圖。參看圖1,不同類型的單元1在半導(dǎo)體襯底2上按行排列。它們基本上是由一些同樣高度的矩形框所組成,但對不同種類,一般其寬度不相同。這些單元由導(dǎo)線3相互連接,這些導(dǎo)線形成并分布在相鄰兩行之間的區(qū)域內(nèi)(有時稱之為連線溝道)。每一個單元1都有一個預(yù)先限定好的電路元件的圖形,如晶體管和內(nèi)部導(dǎo)線層的圖形。圖2A框圖內(nèi)顯示一個示例性CMOS(互補(bǔ)型金屬-氧化物-半導(dǎo)體)2輸入端與非門邏輯的圖形,圖2B是它相應(yīng)的等效電路。參見圖2A,2輸入端與非門單元占據(jù)了由虛線100表示的基本為矩形的虛擬框所限定的一個區(qū)域。該框的尺寸約為幾十~一百微米的等級。電路元件如MOS晶體管P1P2、N1和N2都做在框內(nèi),為外部連線所制成的節(jié)點(diǎn)則伸展到框100之外。斜線區(qū)域表示鋁(Al)導(dǎo)線層,如I1和I2表示接收輸入信號的節(jié)點(diǎn),OT表示輸出節(jié)點(diǎn),BVDD和BVSS是分別連接正負(fù)電壓源VDD和VSS的總線。
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