[其他]相變材料存貯器件

在審

• 申請號: 101985000004646
• 申請日: 1985-06-15
• 公開（公告）號: CN1004526B
• 公開（公告）日: 1989-06-14
• 發明（設計）人: 羅薩·揚;尤金妮亞·米蒂利尼爾
• 申請（專利權）人: 能源轉換裝置公司
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利代理部
• 代理人: 李強

1、一種投射束數據貯存器件，它包含可通過向其施加投射束能而在可檢測狀態之間變換的存貯材料，所述存貯材料包括至少兩種相，其中一種相是基本上連續的、相對來說不可變換的相，其特征是包含氧化硅、氮化硅、氧化鋁和氧化鍺的組中選出的一種耐熱材料，另一種相是包含碲和數量足夠形成穩定、非晶硫族化物的交聯劑的硫族化物相，它能通過光學方法在可檢測狀態之間變換并以散布在基本連續相中的分立晶粒的形式存在，基本連續相的熔化溫度高于分立相的熔化溫度，分立相可在下列狀態間可逆地轉換;

非晶的第一碲交聯劑化合物;

規則的碲和碲含量貧乏的第二腣交聯劑組合物，所述規則的碲和第二碲交聯劑組合物相在非晶的第一碲交聯劑組合物規則時分離。

2、權利要求1的投射束數據存貯器件，其中交聯劑是從由Al、In、Ga、Si、Ge、Sn、N、P、As、Sb、Bi、S、Se及它們的組合物構成的組中選出。

3、權利要求2的投射束數據存貯器件其特征是交聯劑包含鍺。

4、權利要求1的投射束數據存貯器件，其特征是硫族化物是碲。

5、權利要求1的投射束數據存貯器件，其特征是交聯劑包含硅。

6、權利要求1的投射束數據存貯器件，其特征是耐熱形成劑從由鍺、鋁和硅組成的組中選出。

7、權利要求1的投射束數據存貯器件，其特征是硫族組合物包括作為硫族化物的碲、作為交聯劑的鍺和作為耐熱形成劑的硅。

8、權利要求1的投射束數據存貯器件，其特征是交聯劑與碲和全部交聯劑的原子比約為1～20%。

9、權利要求1的投射束數據存貯器件，其特征是硫族化合物進一步包含反射率增加劑。

10、權利要求7的投射束數據存貯器件，其特征是進一步包含氧。

11、權利要求10的投射束數據存貯器件，其特征是鍺與碲與鍺之和的比率為1～20%。

12、權利要求1的投射束數據存貯器件，其特征是存貯材料用下列方法制成：

（a）沉積相變材料和密封劑材料從而形成其淀積物;

（b）基本上不可逆地把該淀積物分離成基本上連續的密封劑相和散布在密封劑相中的斷續的狀態可變相晶粒。

13、權利要求12的投射束數據存貯器件，包括晶化和玻璃化淀積物以實現相分離。

14、權利要求12的投射束數據存貯器件，其中狀態變化材料和密封劑材料是用濺射法淀積的。

15、權利要求14的投射束數據存貯器件，其特征是狀態變化材料和密封劑材料是用反應濺射法淀積的。

16、權利要求12的投射束數據存貯器件，其特征是狀態變化材料及密封劑材料用蒸汽法淀積。

17、權利要求12的投射束數據存貯器件，其特征是狀態變化材料及密封劑材料被同時淀積成基本均勻的淀積物。

18、權利要求12的投射束數據存貯器件，其特征是狀態變化材料層和密封劑層被依次淀積。

19、權利要求12的投射束數據存貯器件，其特征是狀態變化材料和密封劑構成的層與密封劑構成的層被依次淀積。