[其他]具有一字形電子槍和彗差校正件的彩色顯像管

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• 申請?zhí)枺?/td>: 101985000003551
• 申請日: 1985-05-04
• 公開（公告）號: CN85103551B
• 公開（公告）日: 1988-04-13
• 發(fā)明（設計）人: 陳新瑤;理查德·亨利·休斯
• 申請（專利權）人: 美國無線電通信公司
• 代理公司: 中國專利代理有限公司
• 代理人: 何關元

改進的彩色顯象管有一個產生和引導三條電子束的一字形電子槍，這些電子束沿最初共面通路向顯象管屏幕發(fā)射，電子束穿過偏轉區(qū)。偏轉區(qū)內建立兩個正交的磁性偏轉場，第一個偏轉場使電子束的偏轉與電子束排列方向垂直，第二個偏轉場使偏離電子的偏轉與其平行。這個改進由４個含有導磁部件的電子槍組成。第一和第二部件位于中心光束通路和第一、第二光束通路之間，第三和第四部件由第一和第二部件隔開，并位于外電子束通路的外面。

本發(fā)明是關于具有改進的一字形電子槍的彩色顯象管，特別是關于電子槍的改進，使光柵尺寸在顯象管中達到相等（也稱彗差校正）。

設計一種一字形電子槍，在一個共面上更好地產生和激發(fā)三個電子束，并引導這些光束沿著會聚通路指向屏幕附近的一個光點或一個小的會聚范圍。

一字形電子槍的彩色顯象管所存在的一個問題是彗形象差，由于兩個外電子束相對偏轉線圈的中心的偏移，在那里由外磁偏轉線圈在屏上掃描的電子束光柵的大小是不同的。在1965年1月5日出版的Messineo等的美國專利3164737中說，用不同的光束速度所產生的類似彗差失真，可以用圍繞三槍組件中的一個或一個以上的光束通路周圍的磁屏蔽來校正，1965年7月20日出版的Barkow的美國專利3，196，305中說，在三角形電子槍中的一個或一個以上的光束通路附近，使用磁性增強器可以達到同樣的目的。1970年10月13日出版的Krackhardt等的美國專利3534208中說：在三個一字形電子束的中間一個電子束周圍使用一個磁性屏蔽可以校正彗差，1970年12月15日出版的yoshida等的美國專利3548249中說，在中心和外光束之間使用C型部件來加強中心光束上垂直偏轉場的作用。1971年7月20日出版的Murata等的美國專利3594600中說，在外光束周圍使用C型屏蔽，而部件的開口側相互面面對立。這些屏蔽使三個光束的垂直偏離場分路。1975年1月14日出版的Takeuaka等的美國專利3860850中說，在三個一字形光束的上部和下部用V型增強部件，在兩個外光束周圍使用C型屏蔽。1975年3月25日出版的Hughes的美國專利3873879中說，在中心光束上、下，使用小的圓盤型增強部件，并在兩個外光束周圍使用環(huán)形分路器。

所有這些先前的專利解決了各種光柵的尺寸問題。1983年8月2日出版的Hughes的美國專利4396862揭示出：校正件可以減弱中心光束受水平磁性偏轉場的影響和兩個外光束受水平與垂直偏轉場的影響。這種彗形象差校正件在一字形電子槍中一直工作良好。但是，新的一字形電子槍，例如，1983年1月25日出版的Hughes等的美國專利4370592和1983年6月14日出版的Gneninges的美國專利4388552有類似的彗形象差校正問題，而幅值要小得多。雖然這些問題用Hughes的美國專利4396862中所敘述的彗形象差校正件可以解決，但是這些部件必須加工成薄片，這樣在焊接時操作非常困難，而且容易變形。因此需要設計一種新型的彗形象差校正件，它將提供一種上面所說的新型電子槍所要求的更敏感的低幅值彗形象差校正件，要用合適厚度的材料，以便操作，而且焊接不會變形。本發(fā)明達到新型彗形象差校正件的設計要求。

本發(fā)明提供了一個有一字形電子槍的彩色顯象管的改進，其中的電子槍用以產生和引導包括一條中心束和兩條外部的電子束，三條一字形電子束的改進型彩色顯象管，包括一條中心束和兩條外部的束，使這三條電子束沿著最初共平面的通路到管子的屏。這些電子束通過一個偏轉區(qū)，這個偏轉區(qū)配帶二個建立在管子內的正交偏轉場。第一個場引起的電子束與電子束一字形方向相垂直的偏轉。第二個場引起與電子束一字形方向相平行的偏轉。這種改進包括一個有4個導磁部件的電子槍，這4個部件位于偏轉區(qū)邊緣部份內的電子槍出口處附近。第一和第二個導磁部件分別位于中心光束通路與第一和第二個外部電子束通路之間。第三和第四個導磁部件分別與第一和第二導磁組件隔開，并相應地位于相應外電子束通路的外面。第一和第三個部件及第二和第四部件有一些裝置，這些裝置用來旁通在這些部件上的、在相應地外部電子束道路周圍的至少是兩個正交偏轉磁場之一的一部份邊緣部分，另一方面，這些裝置允許在這些部件上的相同邊緣部分的另一部份通過經(jīng)過相應的外部電子束的通路。第一和第二部件有一些裝置，這些裝置用來旁通在這些部件上的。在中心電子束的周圍的兩個正交偏轉磁場之一的一部份邊緣部分，另一方面，這些裝置允許在這些部件上的相同邊緣部分的另一部份通過經(jīng)過中心電子束通路。