[其他]二維磁矢量磁敏器件在審
| 申請號： | 101985000003006 | 申請日： | 1985-04-11 |
| 公開（公告）號： | CN85103006B | 公開（公告）日： | 1988-06-15 |
| 發明（設計）人： | 黃得星;吳南健 | 申請（專利權）人： | 黑龍江大學 |
| 主分類號： | 分類號： | ||
| 代理公司： | 黑龍江省專利服務中心 | 代理人： | 閻德祥 |
| 地址： | 黑龍江省哈*** | 國省代碼： | 黑龍江;23 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 二維 矢量 器件 | ||
【權利要求書】：
1、一種磁電轉換半導體器件，它是由硅磁敏晶體管組合而成的，其特征是，在硅芯片的相互垂直的兩個方向上，對稱地布置四只長基區磁敏晶體管。
2、如權利要求1所述的半導體器件，其硅芯片是N型單晶片或N/P+外延片，也可以是P型單晶片或P/N+外延片，它的電阻率大于10Ωcm，晶向為〈111〉。
3、如權利要求1所述半導體器件，其長基區磁敏晶體管的發射區、集電區和基極是平行地設置在硅芯片表面的條狀結構，而集電區設置在發射區和基極中間，從發射區到集電區的距離大于載流子擴散長度。
4、如權利要求1、2和3所述的半導體器件，其引線結構有兩種形式。一是當發射區設計在芯片中心時，有一個共用發射極引線區，而基極引線區可以是一或者兩個，或者是四只長基區磁敏晶體管各獨立引出;二是當基極設計在芯片中心時，有一個共用基極引線區和一個共用發射極引線區。
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