[其他]超聲大功率壓電陶瓷材料在審
| 申請號: | 101985000000702 | 申請日: | 1985-04-01 |
| 公開(公告)號: | CN85100702B | 公開(公告)日: | 1986-12-03 |
| 發明(設計)人: | 劉永懷 | 申請(專利權)人: | 中國科學院聲學研究所 |
| 主分類號: | 分類號: | ||
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 北京市海淀區*** | 國省代碼: | 北京;11 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 超聲 大功率 壓電 陶瓷材料 | ||
一種由5%的Sr置換Pb,鋯鈦比為52比48的鋯鈦酸鉛及1.5克分子%的CaFeO5.2組成的陶瓷材料,由于增加了A克分子%的Li2O及B克分子%的MgO而獲得大功率性能優異的陶瓷材料。在對原材料進行預處理,降低燒結溫度,延長保溫時間而得到不僅性能優異,而且具有易燒結,瓷質致密,成品率高等特點在實際使用中已獲得滿意的效果。
本發明屬于壓電陶瓷材料
壓電陶瓷材料的制造都是采用一般的陶瓷工藝,由于組成材料的成份在比例上的差異而顯示出性能上的差異。就通常的性能而言,有的屬于軟性的接收型材料,有的屬于硬性的發射型材料,或兩種特性兼有的收發兩用型材料。就發射材料而言,要求具有高的機電耦合系數,較高的介電常數,高的機械品質因數,高的矯頑場,低的介質損耗,特別是低的強場介質損耗,大的功率密度等。在我國目前較好的發射型材料是以Fe,Ca改性的PZT壓電陶瓷材料。(中國科學院硅酸鹽研究所壓電組《低強場損耗鋯鈦酸鉛壓電陶瓷材料的研究》新型無機材料,4,1972。中國科學院聲學所四室材料組《強電場下低介電損耗鋯鈦酸鉛壓電陶瓷材料》聲學所內部資料,1973)。該材料雖有較高的機電耦合系數,較低的介質損耗,較高的機械品質因數,但它存在著矯頑場較低、強場損耗較大,功率密度較小之不足,故不能承受較大的功率。往往在大功率作用下,由于發熱使元件損壞,不能正常工作1971年美國Vernitron公司的PZT-8材料CD,Berlincourt Ultrasonic Transducer Materials)雖是較好的大功率材料,但亦有強場損耗較大,機械品質因數較低之不足。1980年日本西田正光等人在電子通信學會技術研究報告(US80-31)“大功率用壓電陶瓷”中所用配方為鈮鋅酸鉛-鈮錫酸鉛-鋯酸鉛-鈦酸鉛四成份系壓電陶瓷,在添加二氧化錳和三氧化銻后所得到的,雖有較高的機電耦合系數,高的機械Q值等優點,但介電損耗又較高,矯頑場又較低。
本發明的目的在于改善發射型材料的大功率特性,通過對材料配方的研究,得到較為理想的材料配方,使大功率特性,特別是強場介質損耗,矯頑場,功率密度等方面有較大的提高,滿足在大功率作用下對材料性能的要求。
目前我國通常使用的較好的發射材料是以5克分子%的Sr置換Pb,鋯鈦比為52比48的鋯鈦酸鉛及1.5克分子%的鐵酸鈣(CaFeO5/2)組成的。本發明即以此為基,增加A克分子%的氧化鋰(Li2O)和B克分子%的氧化鎂(MgO)兩種成分,并輔以特定的制造工藝而獲得本發明的材料。
本發明的一個實施例,其組成范圍是采用化學表達式為:
Pb0.35Sr0.05(Zr0.52Ti0.48)Oi+1.5克分子%。
CaFeO5.2+A克分子%Li2O+B克分子%MgO
所得到的材料。其中
A為0.01至0.20
B為0.00至0.07
當A為0.05,B為0.01時,為本發明的最佳組成
本發明的制造工藝是這樣的,按化學組成計量,稱取各種相應的化學原料,將其在振動磨機中混合2.5小時,在940℃下保溫2小時預燒,再將預燒的料塊破碎,在振動磨機中粉碎5小時,而后加入占瓷料重量4%,濃度為5%的聚乙烯醇溶液為粘合劑,在1噸/(厘米)2的壓力下成型,成型后于1240℃至1310℃下保溫1至5小時燒成,在120℃下,以3kV/mm的直流電場極化15分鐘。本發明的最佳燒結條件:溫度為1260℃,保溫時間為3小時。保溫時間的長短視燒制坯件的大小而異,如直徑為60mm厚為5mm以下的圓形坯件,即可采用上述的最佳燒成條件,如尺寸再大,保溫時間就要延長到5小時左右。
本發明在制造工藝上還有兩個特點,即:
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于中國科學院聲學研究所,未經中國科學院聲學研究所許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/101985000000702/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:可控熱開關恒溫器
- 下一篇:致密-多孔-致密夾心復合壓電陶瓷及其工藝
- 同類專利
- 專利分類





