[其他]一種耐高溫的溫梯法晶體生長裝置

在審

• 申請號: 101985000000534
• 申請日: 1985-04-01
• 公開（公告）號: CN85100534B
• 公開（公告）日: 1988-08-03
• 發明（設計）人: 周永宗
• 申請（專利權）人: 中國科學院上海光學精密機械研究所
• 代理公司: 中國科學院上海專利事務所
• 代理人: 張澤純

1、一種耐高溫的溫梯法晶體生長裝置，含有坩堝1，發熱體11，保溫屏蔽裝置和坩堝支撐裝置，其特征在于所說的發熱體為一被上槽11-1和下槽11-2分割成矩形波狀的板條通電回路11-3的圓筒，該板條通電回路的上半部有一系列圓孔，和/或方孔，和/或三角形孔11-4，其孔數和/或孔徑的分布自上而下逐漸減少。

2、按照權利要求1或2的晶體生長裝置，所說的保溫屏蔽裝置，含有側屏蔽筒19，上熱擋板24和下熱擋板13，其特征在于所說的上熱擋板中有一塊陶瓷材料構成的隔熱板23，該隔熱板為空心球剛玉板，或顆粒結構的氧化鋯板。

3、按照權利要求1或2的晶體生長裝置，其特征在于所說的坩堝1由底部中心有一籽晶槽1-1尾部的錐形底1-2和圓錐筒形的坩堝壁1-3構成，錐形底的錐度小于120°，最佳為95°～110°，坩堝壁的錐度大于1∶100，最佳為1∶30～1∶40。

4、按照權利要求1或2的晶體生長裝置，其特征在于所說的坩堝支撐裝置，含有坩堝定位托2、氧化鋯保溫環3、鉬座4、坩堝桿5，所說的坩堝籽晶槽尾部置于坩堝定位托的圓形凹槽2-1內，坩堝定位托通過氧化鋯保溫環置于坩堝桿的鉬座4的中心凹槽4-1內，氧化鋯保溫環下部的突起3-3置于鉬座的定位圈4-2內。

5、按照權利要求3的晶體生長裝置，其特征在于所說的坩堝支撐裝置，含有坩堝定位托2、氧化鋯保溫環3、鉬座4、坩堝桿5，所說的坩堝籽晶槽尾部置于坩堝定位托的圓形凹槽2-1內，坩堝定位托通過氧化鋯保溫環置于坩堝桿的鉬座4的中心凹槽4-1內，氧化鋯保溫環下部突起3-3置于鉬座的定位圈4-2內。

6、按照權利要求4的晶體生長裝置，其特征在于所說的坩堝鉬座4和保溫環3的直徑大致與所說的坩堝圓錐壁底部的直徑相當。

7、按照權利要求5的晶體生長裝置，其特征在于所說的坩堝鉬座4和保溫環3的直徑大致與所說的坩堝圓錐壁底部的直徑相當。