[其他]電流比率標(biāo)準(zhǔn)器產(chǎn)品在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 101985000000355 | 申請日: | 1985-04-01 |
| 公開(公告)號: | CN85100355B | 公開(公告)日: | 1988-11-30 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 陸郱;李慶蓮 | 申請(專利權(quán))人: | 湘潭電機(jī)廠 |
| 主分類號: | 分類號: | ||
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 湖南省湘*** | 國省代碼: | 湖南;43 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 電流 比率 標(biāo)準(zhǔn) 產(chǎn)品 | ||
一種電力設(shè)備及電磁計量裝置用電流比率標(biāo)準(zhǔn)器產(chǎn)品,特別適用于制造寬頻帶雙級電流互感器和電流比較儀。本發(fā)明按公式(1)確定原邊繞組的匝數(shù)和次邊1繞組的邊長,采用逆磁金屬外殼屏蔽。應(yīng)用本發(fā)明制造的產(chǎn)品適應(yīng)頻帶寬(50~10000HZ)、精度高(0.0005級)。
本發(fā)明涉及一種電磁計量用或電力設(shè)備用電流比率標(biāo)準(zhǔn)器產(chǎn)品。
一種電流比率標(biāo)準(zhǔn)器,以電流比率標(biāo)準(zhǔn)器中的音頻雙級電流互感器為例:
1.現(xiàn)有設(shè)計偏重于音頻低端精度,為了減小低頻端誤差,常用增大鐵芯截面和增加繞組匝數(shù)等方法,結(jié)果導(dǎo)至高頻端電容誤差增大,以T.M.Souders設(shè)計制造的雙級電流互感器為例,其低頻端誤差為0.1~0.2PPM,而高頻端誤差則大到11.6PPM。(見圖2)。
2.在多量限雙級電流互感器中,現(xiàn)有技術(shù)設(shè)計時,為了減少電容誤差隨變化比而變化,常在初級繞組的內(nèi)層和外層都加上靜電屏蔽,從而加大了對地電容,導(dǎo)至電容誤差增大。
3.為了減小雜散耦合,現(xiàn)有設(shè)計采用坡莫合金盒式磁屏蔽結(jié)構(gòu),如圖4(3)、(4)、(5)、(6)所示。從而使結(jié)構(gòu)復(fù)雜化、制造困難、繞組尺寸增大、電容誤差增大,并導(dǎo)至造價高、售價昂貴。主要材料消耗達(dá)本發(fā)明方法的8.3倍。
4.在P.N.Miljoncic文獻(xiàn)1中認(rèn)為電流比率標(biāo)準(zhǔn)器設(shè)計時,所有尺寸都與它的鐵芯平均直徑成正比,當(dāng)鐵芯內(nèi)孔增大時,則鐵芯及繞組尺寸將隨之增大,從而體積和重量增加,事實上經(jīng)推導(dǎo)上述關(guān)系并不存在,按該理論依據(jù)根本無法設(shè)計出高精度的雙級電流互感器。
現(xiàn)有技術(shù)中的雙級電流互感器的鐵芯結(jié)構(gòu)見圖5(國家計量科學(xué)院設(shè)計制造的)和圖3(美國T.M.Souders設(shè)計制造的)。
現(xiàn)有技術(shù)的參考文獻(xiàn)見表3。
為了克服和糾正現(xiàn)有技術(shù)中的不足和錯誤,本發(fā)明提供一種電流比率標(biāo)準(zhǔn)器,一種高精度、寬頻帶音頻雙級電流互感器和電流比較儀產(chǎn)品。
本發(fā)明是通過下述手段來實現(xiàn)的。
1.設(shè)計時推翻了P.N.Miljoncic文獻(xiàn)1中所提的所有尺寸都與它的鐵芯平均直徑成正比的理論。而是盡量減少鐵芯截面積和繞組匝數(shù),以使低頻端磁誤差與高頻端的電容誤差數(shù)值相等,根據(jù)公式(1)來計算初級繞組匝數(shù)和次邊1繞組的邊長;
式中Np-初級繞組匝數(shù);
BS-次邊1繞組的平均邊長;
P-鐵芯平均半徑;
RB-次邊繞組負(fù)載電阻;
RS-次邊繞組電阻;
T-最小變比;
μf-在最低工作頻率下的鐵芯復(fù)數(shù)導(dǎo)磁率,最低工作頻率很低且計算精度不高時可取直流導(dǎo)磁率;
Er-絕緣材料的相對介電系數(shù);
μr-絕緣材料的相對導(dǎo)磁系數(shù);
fmin-最低工作頻率;
fmax-最高工作頻率;
K1=BP/BS;其中Bp為初級繞組平均邊長(即平均匝長的1/4);
K2=BS2/S:其中S為輔助鐵芯有效截面積;
K3=(Bp-Bs)/dp;dp為靜電屏蔽與初級繞組間的絕緣厚度;
KC-電容誤差減小倍數(shù),本設(shè)計取2~3,當(dāng)采用初級繞組并聯(lián)補償時取10~20;采用等比例屏蔽時取1000;
2.取消初級繞組外層的靜電屏蔽,而以逆磁金屬外殼電磁屏蔽代替之,由于金屬外殼距繞組距離大,據(jù)C=S/d,與原設(shè)計方案的靜電屏蔽相比,減少了繞組的對地電容,據(jù)實測,采用本設(shè)計結(jié)構(gòu)時,電容誤差減小,為原結(jié)構(gòu)的1/2以下。
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