[其他]離子注入半導(dǎo)體瞬時退火設(shè)備

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 101985000000131
• 申請日: 1985-04-01
• 公開（公告）號: CN85100131B
• 公開（公告）日: 1987-02-25
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 錢佩信;侯東彥;陳必賢;馬騰閣;林惠旺;李志堅
• 申請（專利權(quán)）人: 清華大學(xué)
• 代理公司: 清華大學(xué)專利事務(wù)所
• 代理人: 廖元秋;胡蘭芝

1、一種離子注入半導(dǎo)體瞬時退火設(shè)備，由高頻加熱爐、雙色紅外無接觸式測溫儀、充保護(hù)氣裝置、機械傳動和控制裝置、石英退火腔構(gòu)成，其特征在于所說的石英退火腔包括矩形石英管和固定于管內(nèi)的石墨板、石英導(dǎo)軌以及可以在導(dǎo)軌上滑動的石英片架、推動石英片架的石英桿，石墨板和石英退火腔外的高頻線圈組成了紅外輻射光源，石英導(dǎo)軌和石英片架、石英桿構(gòu)成了半導(dǎo)體片的傳動系統(tǒng)，可使半導(dǎo)體片快速推至石墨板上方和拉出退火區(qū)，退火腔內(nèi)充有氣體，是熱對流和熱傳導(dǎo)的媒介。

2、按權(quán)利要求1所說的瞬時退火設(shè)備，其特征在于所充氣體可為高純氮氣，也可為高純氮氫混合氣。

3、按權(quán)利要求1和2所說的瞬時退火設(shè)備，其特征是可用于絕緣層上多晶硅（SOI）的再結(jié)晶，只要將石墨加熱器改變一下形狀，使SOI形成細(xì)條狀熔區(qū)，當(dāng)形成熔區(qū)后將石英片架緩慢拉出石墨加熱區(qū)則可完成再結(jié)晶。

4、按權(quán)利要求1和2所說的瞬時退火設(shè)備，其特征是可用于形成，難熔金屬硅化物和制備淺結(jié)的歐姆結(jié)，只需將硅片溫度升至共晶溫度，熱處理時間仍只需幾秒。