[其他]真空鍍膜采用致冷器的冷卻方法在審
| 申請號： | 101985000000062 | 申請日： | 1985-04-01 |
| 公開（公告）號： | CN85100062B | 公開（公告）日： | 1987-10-07 |
| 發明（設計）人： | 許知止;李春茂;周炳琨 | 申請（專利權）人： | 清華大學 |
| 主分類號： | 分類號： | ||
| 代理公司： | 清華大學專利事務所 | 代理人： | 廖元秋 |
| 地址： | 北京市海淀*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 真空鍍膜 采用 致冷 冷卻 方法 | ||
【權利要求書】：
1、一種真空鍍膜的冷卻方法，其特征在于采用一個以上的半導體致冷器〔1〕冷卻被鍍工件〔2〕。
2、按照權利要求1所述的冷卻方法，其特征在于將半導體致冷器〔1〕的冷端與被鍍工件相連，兩端由耐高溫導線〔3〕直接引至鍍膜機原有的一對電極〔4〕上，再由電極在罩外接出兩根導線〔5〕至一個直流穩壓電源上。
3、按照權利要求1或2所述的冷卻方法，其特征是用于砷化鎵半導體激光器解理面鍍單層介質膜，采用三個串聯的半導體致冷器〔1〕冷卻該激光器，其中一個致冷器的冷端用低熔點焊錫與激光器的熱沉相粘連，其它兩個致冷器分別置于激光器的兩側。
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