[發(fā)明專(zhuān)利]具改善阻障性質(zhì)之阻障堆棧無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 03802254.0 | 申請(qǐng)日： | 2003-01-08 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN1615538A | 公開(kāi)（公告）日： | 2005-05-11 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | N·納格爾;K·伊梅;G·A·貝特爾;A·希里格;B·－K·穆恩;K·亞馬卡瓦 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人： | 因芬尼昂技術(shù)股份公司;株式會(huì)社東芝 |
| 主分類(lèi)號(hào)： | H01L21/02 | 分類(lèi)號(hào)： | H01L21/02;H01L21/8242;H01L21/768 |
| 代理公司： | 中國(guó)專(zhuān)利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 肖春京 |
| 地址： | 德國(guó)*** | 國(guó)省代碼： | 德國(guó);DE |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 改善 阻障 性質(zhì) 堆棧 | ||
【權(quán)利要求書(shū)】：
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- 同類(lèi)專(zhuān)利
- 專(zhuān)利分類(lèi)
H01 基本電氣元件
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專(zhuān)門(mén)適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專(zhuān)門(mén)適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專(zhuān)門(mén)適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專(zhuān)門(mén)適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專(zhuān)門(mén)適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專(zhuān)門(mén)適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專(zhuān)門(mén)適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專(zhuān)門(mén)適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
