[發明專利]磁控濺射方法制備碳化硅薄膜工藝無效
| 申請號： | 03158500.0 | 申請日： | 2003-09-10 |
| 公開（公告）號： | CN1594648A | 公開（公告）日： | 2005-03-16 |
| 發明（設計）人： | 陳諾夫;楊霏;尹志崗;柴春林;吳金良 | 申請（專利權）人： | 中國科學院半導體研究所 |
| 主分類號： | C23C14/35 | 分類號： | C23C14/35;C23C14/06 |
| 代理公司： | 中科專利商標代理有限責任公司 | 代理人： | 湯保平 |
| 地址： | 100083北*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 磁控濺射 方法 制備 碳化硅 薄膜 工藝 | ||
【說明書】：
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