[發(fā)明專利]硅薄膜結(jié)晶方法、用該方法的薄膜晶體管及其平板顯示器有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 03158097.1 | 申請(qǐng)日： | 2003-08-01 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN1494107A | 公開(kāi)（公告）日： | 2004-05-05 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 具在本;樸志容;樸商一 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 三星SDI株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào)： | H01L21/00 | 分類號(hào)： | H01L21/00;H01L21/20;H01L21/324;H01L29/786;G02F1/136;G09F9/30 |
| 代理公司： | 中國(guó)專利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 吳立明;梁永 |
| 地址： | 韓國(guó)京畿*** | 國(guó)省代碼： | 韓國(guó);KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 薄膜 結(jié)晶 方法 薄膜晶體管 及其 平板 顯示器 | ||
【說(shuō)明書(shū)】：
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- 專利分類
H01 基本電氣元件
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門(mén)適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門(mén)適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門(mén)適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門(mén)適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門(mén)適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門(mén)適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門(mén)適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門(mén)適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
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