[發(fā)明專利]介層洞優(yōu)先雙鑲嵌制程有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 03156535.2 | 申請(qǐng)日： | 2003-09-03 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN1591820A | 公開（公告）日： | 2005-03-09 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 吳至寧;劉名馨;周孝邦;林清標(biāo);王培仁 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 聯(lián)華電子股份有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L21/768 | 分類號(hào)： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京三友知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人： | 王一斌 |
| 地址： | 臺(tái)灣省*** | 國(guó)省代碼： | 中國(guó)臺(tái)灣;71 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 介層洞 優(yōu)先 鑲嵌 | ||
【權(quán)利要求書】：
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- 同類專利
- 專利分類
H01 基本電氣元件
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
- 優(yōu)先控制系統(tǒng)及優(yōu)先控制方法
- 一種寬帶碼分多址系統(tǒng)中優(yōu)先級(jí)的配置方法
- 高效的優(yōu)先級(jí)感知線程調(diào)度
- 一種優(yōu)先級(jí)隊(duì)列設(shè)計(jì)方法及優(yōu)先級(jí)隊(duì)列設(shè)計(jì)裝置
- 閉心負(fù)載反饋液壓系統(tǒng)中的兩級(jí)優(yōu)先結(jié)構(gòu)控制閥塊
- 閉心負(fù)載反饋液壓系統(tǒng)中的兩級(jí)優(yōu)先結(jié)構(gòu)控制閥塊
- 對(duì)優(yōu)先訪問信道的優(yōu)先訪問
- 優(yōu)先閥
- 優(yōu)先閥
- 優(yōu)先閥
