[發(fā)明專利]用于動(dòng)態(tài)閾值電壓控制的多晶硅背柵SOI MOSFET有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 03155080.0 | 申請(qǐng)日： | 2003-08-27 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN1487597A | 公開(kāi)（公告）日： | 2004-04-07 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 羅伯特·H·丹納德;維爾弗理德·E·何恩什;哈賽恩·I·漢納非 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 國(guó)際商業(yè)機(jī)器公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L29/78 | 分類號(hào)： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中國(guó)國(guó)際貿(mào)易促進(jìn)委員會(huì)專利商標(biāo)事務(wù)所 | 代理人： | 王永剛 |
| 地址： | 美國(guó)*** | 國(guó)省代碼： | 美國(guó);US |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 用于 動(dòng)態(tài) 閾值 電壓 控制 多晶 硅背柵 soi mosfet | ||
【說(shuō)明書(shū)】：
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- 同類專利
- 專利分類
H01 基本電氣元件
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換，并具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體器件；具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘，例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器；半導(dǎo)體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導(dǎo)體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導(dǎo)體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過(guò)對(duì)一個(gè)不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進(jìn)行控制的
H01L29-82 ..通過(guò)施加于器件的磁場(chǎng)變化可控的
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換，并具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體器件；具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘，例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器；半導(dǎo)體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導(dǎo)體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導(dǎo)體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過(guò)對(duì)一個(gè)不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進(jìn)行控制的
H01L29-82 ..通過(guò)施加于器件的磁場(chǎng)變化可控的
- 動(dòng)態(tài)矢量譯碼方法和動(dòng)態(tài)矢量譯碼裝置
- 動(dòng)態(tài)口令的顯示方法及動(dòng)態(tài)令牌
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- 令牌、動(dòng)態(tài)口令生成方法、動(dòng)態(tài)口令認(rèn)證方法及系統(tǒng)
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- 一種基于POS機(jī)聚合碼功能分離顯示動(dòng)態(tài)聚合碼的系統(tǒng)
- 基于動(dòng)態(tài)口令的身份認(rèn)證方法、裝置和動(dòng)態(tài)令牌
