[發(fā)明專利]半導(dǎo)體晶圓制造所使用相位移轉(zhuǎn)光罩的圖案制作方法與其結(jié)構(gòu)有效

申請(qǐng)?zhí)枺?/td>	03151440.5	申請(qǐng)日：	2003-09-29
公開(kāi)（公告）號(hào)：	CN1603950A	公開(kāi)（公告）日：	2005-04-06
發(fā)明（設(shè)計(jì)）人：	洪齊元	申請(qǐng)（專利權(quán)）人：	中芯國(guó)際集成電路制造（上海）有限公司
主分類號(hào)：	G03F1/14	分類號(hào)：	G03F1/14;G03F7/20;G03F7/00;H01L21/027
代理公司：	上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司	代理人：	陳亮
地址：	2012***	國(guó)省代碼：	上海;31
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摘要：
搜索關(guān)鍵詞：	半導(dǎo)體制造使用相位移轉(zhuǎn) 圖案制作方法與其結(jié)構(gòu)
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同類專利

專利分類

G 物理

G03 攝影術(shù)；電影術(shù)；利用了光波以外其他波的類似技術(shù)；電記錄術(shù)；全息攝影術(shù)
G03F 圖紋面的照相制版工藝，例如，印刷工藝、半導(dǎo)體器件的加工工藝；其所用材料；其所用原版；其所用專用設(shè)備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其專門(mén)適用于此的容器；其制備
G03F1-20 .用于通過(guò)帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜，例如通過(guò)電子束；其制備
G03F1-22 .用于通過(guò)100nm或更短波長(zhǎng)輻照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜；其制備，例如光學(xué)臨近校正(OPC)設(shè)計(jì)工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜，例如用于校準(zhǔn)或測(cè)試的特殊涂層或標(biāo)記；其制備

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專利文獻(xiàn)下載

說(shuō)明：

1、專利原文基于中國(guó)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局專利說(shuō)明書(shū)；

2、支持發(fā)明專利、實(shí)用新型專利、外觀設(shè)計(jì)專利（升級(jí)中）；

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