[發明專利]半導體裝置的制造方法

無效

• 申請號: 03147458.6
• 申請日: 2003-07-11
• 公開（公告）號: CN100502176C
• 公開（公告）日: 2009-06-17
• 發明（設計）人: 小野澤和利;上田哲三;上田大助
• 申請（專利權）人: 松下電器產業株式會社
• 主分類號: H01S5/022
• 分類號: H01S5/022;H01S5/40;H01L23/12;H01L21/58
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司
• 代理人: 汪惠民

1、一種半導體裝置，其特征在于：

具備：

在主面上具有多個凹部的基板；和

嵌入在所述多個凹部的每個中的多個半導體元件，

所述各半導體元件，在嵌入在所述凹部的下面側具有凸形狀，所述各凹部的深度尺寸，是能夠將所述凸形狀嵌入的深度。

2、根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于：

所述多個半導體元件是各自從端面射出激光的端面射出型的半導體激光元件，

所述基板的各凹部，被形成為所述各半導體激光元件的射出方向都朝一個方向。

3、如權利要求2所述的半導體裝置，其特征在于：

所述多個半導體激光元件中的兩個，相互的發光波長不同。

4、如權利要求2所述的半導體裝置，其特征在于：

所述多個半導體激光元件中的兩個，相互的光輸出值不同。

5、如權利要求2所述的半導體裝置，其特征在于：

在所述基板上形成有使所述半導體激光元件的激光出射部露出的切槽部。

6、如權利要求5所述的半導體裝置，其特征在于：

對一個凹部形成兩個以上的所述切槽部。

7、如權利要求5所述的半導體裝置，其特征在于：

所述切槽部，具有其下部到達所述凹部的底面的凹部形狀。

8、如權利要求2所述的半導體裝置，其特征在于：

所述各半導體激光元件，其從前端面來的光輸出值與從后端面來的光輸出值相等。

9、如權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于：

所述各半導體元件，各自嵌入所述凹部的部分的形狀與未嵌入部分的形狀不同。

10、如權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于：

在所述基板的各凹部的底面上分別形成凹部電極，

在所述各半導體元件的與所述凹部的底面對向的面上分別形成元件電極，所述各半導體元件通過所述元件電極與所述各凹部電極分別電連接，

在所述各凹部電極上，以一直到達所述基板的主面上的方式設置延伸部。

11、如權利要求10所述的半導體裝置，其特征在于：

所述凹部電極對于各半導體元件共通地設置。

12、如權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于：

所述多個半導體元件嵌入在所述各凹部的部分的形狀是相互不同的，

所述凹部的形狀對應于所述各半導體元件而各不相同。

13、如權利要求12所述的半導體裝置，其特征在于：

所述多個半導體元件是發光元件，該發光元件嵌入在所述凹部的部分的形狀對于每個發光波長而不同。

14、如權利要求12所述的半導體裝置，其特征在于：

所述多個半導體元件是發光元件，該發光元件嵌入在所述凹部的部分的形狀對于每個光輸出值而不同。