[發(fā)明專(zhuān)利]非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的制造方法和非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 03133093.2 | 申請(qǐng)日: | 2003-07-25 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN1477701A | 公開(kāi)(公告)日: | 2004-02-25 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 井口直;角田弘昭 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 株式會(huì)社東芝 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01L21/8246 | 分類(lèi)號(hào): | H01L21/8246;H01L21/8239 |
| 代理公司: | 中國(guó)國(guó)際貿(mào)易促進(jìn)委員會(huì)專(zhuān)利商標(biāo)事務(wù)所 | 代理人: | 王永剛 |
| 地址: | 日本*** | 國(guó)省代碼: | 日本;JP |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 非易失性 半導(dǎo)體 存儲(chǔ)器 制造 方法 | ||
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- 同類(lèi)專(zhuān)利
- 專(zhuān)利分類(lèi)
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專(zhuān)門(mén)適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專(zhuān)門(mén)適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專(zhuān)門(mén)適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專(zhuān)門(mén)適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
- 將數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在非易失性高速緩沖存儲(chǔ)器中的設(shè)備和方法
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- 具有非易失性邏輯陣列備份相關(guān)應(yīng)用的處理裝置
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