[發明專利]用于高擊穿電壓半導體器件的高阻碳化硅襯底有效
| 申請號： | 02809392.5 | 申請日： | 2002-05-08 |
| 公開（公告）號： | CN1507506A | 公開（公告）日： | 2004-06-23 |
| 發明（設計）人： | 史蒂花·穆勒 | 申請（專利權）人： | 克里公司 |
| 主分類號： | C30B29/36 | 分類號： | C30B29/36;H01L29/24;H01L21/04 |
| 代理公司： | 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 | 代理人： | 王永剛 |
| 地址： | 美國北*** | 國省代碼： | 美國;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 用于 擊穿 電壓 半導體器件 碳化硅 襯底 | ||
【說明書】：
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