[發明專利]鎢硅閘極選擇性側壁氧化期間最小化氧化鎢蒸氣沉積之方法無效
| 申請號： | 02808720.8 | 申請日： | 2002-04-10 |
| 公開（公告）號： | CN1503987A | 公開（公告）日： | 2004-06-09 |
| 發明（設計）人： | S·弗里格;W·科格爾;J·－U·薩奇塞;M·斯塔德特米勒;R·哈伊恩;G·羅特斯;E·肖爾;O·斯托貝克 | 申請（專利權）人： | 因芬尼昂技術股份公司;馬特森熱力產品有限責任公司 |
| 主分類號： | H01L21/28 | 分類號： | H01L21/28;H01L21/321 |
| 代理公司： | 中國專利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 章社杲 |
| 地址： | 德國*** | 國省代碼： | 德國;DE |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 鎢硅閘極 選擇性 側壁 氧化 期間 最小化 氧化鎢 蒸氣 沉積 方法 | ||
【權利要求書】：
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
