[發明專利]氮化鎵系列化合物半導體元件有效
| 申請號： | 02808020.3 | 申請日： | 2002-04-08 |
| 公開（公告）號： | CN1502154A | 公開（公告）日： | 2004-06-02 |
| 發明（設計）人： | 川越公博 | 申請（專利權）人： | 日亞化學工業株式會社 |
| 主分類號： | H01S5/323 | 分類號： | H01S5/323;H01S5/22 |
| 代理公司： | 中科專利商標代理有限責任公司 | 代理人： | 羅亞川 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 氮化 系列 化合物 半導體 元件 | ||
【說明書】：
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