[發(fā)明專(zhuān)利]使用電子束輻射形成增強(qiáng)晶體管柵極的方法及包括該晶體管柵極的集成電路有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 02807510.2 | 申請(qǐng)日： | 2002-02-22 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN1500287A | 公開(kāi)（公告）日： | 2004-05-26 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | P·A·費(fèi)希爾;C－Y·楊;M·V·普萊特;R·R·A·卡拉漢;A·M·卡舒尼亞 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人： | 先進(jìn)微裝置公司 |
| 主分類(lèi)號(hào)： | H01L21/027 | 分類(lèi)號(hào)： | H01L21/027;H01L21/308 |
| 代理公司： | 北京紀(jì)凱知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人： | 戈泊;程偉 |
| 地址： | 美國(guó)加*** | 國(guó)省代碼： | 美國(guó);US |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 使用 電子束 輻射 形成 增強(qiáng) 晶體管 柵極 方法 包括 集成電路 | ||
【權(quán)利要求書(shū)】：
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- 專(zhuān)利分類(lèi)
H01 基本電氣元件
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專(zhuān)門(mén)適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專(zhuān)門(mén)適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專(zhuān)門(mén)適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專(zhuān)門(mén)適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專(zhuān)門(mén)適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專(zhuān)門(mén)適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專(zhuān)門(mén)適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專(zhuān)門(mén)適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
