[發(fā)明專利]具有基本上沒有氧化誘生堆垛層錯的空位為主的芯的低缺陷密度硅無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 02805098.3 | 申請日： | 2002-01-22 |
| 公開（公告）號： | CN1500159A | 公開（公告）日： | 2004-05-26 |
| 發(fā)明（設計）人： | C·B·金;S·L·金貝爾;J·L·利伯特;M·巴南 | 申請（專利權）人： | MEMC電子材料有限公司 |
| 主分類號： | C30B15/00 | 分類號： | C30B15/00;C30B29/06;C30B15/20 |
| 代理公司： | 北京市中咨律師事務所 | 代理人： | 馬江立;李崢 |
| 地址： | 美國密*** | 國省代碼： | 美國;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 具有 基本上 沒有 氧化 堆垛 空位 為主 缺陷 密度 | ||
【說明書】：
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