[發明專利]MRAM位線字符線結構無效
| 申請號: | 02804073.2 | 申請日: | 2002-01-24 |
| 公開(公告)號: | CN1488145A | 公開(公告)日: | 2004-04-07 |
| 發明(設計)人: | H·H·維赫曼恩 | 申請(專利權)人: | 因芬尼昂技術北美公司 |
| 主分類號: | G11C11/16 | 分類號: | G11C11/16;G11C5/06 |
| 代理公司: | 中國專利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 程天正;王勇 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 美國;US |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | mram 字符 結構 | ||
【說明書】:
下載完整專利技術內容需要扣除積分,VIP會員可以免費下載。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于因芬尼昂技術北美公司,未經因芬尼昂技術北美公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/02804073.2/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:半導體記憶裝置的選擇裝置
- 下一篇:非直角MRAM組件





