[實用新型]氮化鎵基Ⅲ－Ⅴ族化合物半導體發光裝置無效
| 申請號： | 02292590.2 | 申請日： | 2002-12-26 |
| 公開（公告）號： | CN2593370Y | 公開（公告）日： | 2003-12-17 |
| 發明（設計）人： | 洪詳竣;黃振斌;易乃冠 | 申請（專利權）人： | 炬鑫科技股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/00 | 分類號： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 中國商標專利事務所有限公司 | 代理人： | 萬學堂 |
| 地址： | 暫無信息 | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 氮化 化合物 半導體 發光 裝置 | ||
【權利要求書】：
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