[實(shí)用新型]壘晶晶片無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 02203862.0 | 申請(qǐng)日： | 2002-02-07 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN2523024Y | 公開(kāi)（公告）日： | 2002-11-27 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 張文遠(yuǎn) | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 威盛電子股份有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L23/48 | 分類號(hào)： | H01L23/48 |
| 代理公司： | 北京集佳專利商標(biāo)事務(wù)所 | 代理人： | 王學(xué)強(qiáng) |
| 地址： | 臺(tái)灣省臺(tái)北縣*** | 國(guó)省代碼： | 臺(tái)灣;71 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說(shuō)明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 晶片 | ||
1、一種壘晶晶片，至少包括：
一晶片，具有一主動(dòng)表面、一保護(hù)層，其特征是，該晶片還包括至少一第一焊墊及至少一第二焊墊，該保護(hù)層、該第一焊墊及該第二焊墊均配置于該晶片的該主動(dòng)表面，且該保護(hù)層暴露出該第一焊墊及該第二焊墊；
至少一第一球底金屬層，配置于該第一焊墊上；
至少一第二球底金屬層，配置于該第二焊墊上，其中該第二球底金屬層與該第二焊墊之間的接觸面積大于該第一球底金屬層與該第一焊墊之間的接觸面積。
至少一第一凸塊，配置于該第一球底金屬層上；以及
至少一第二凸塊，配置于該第二球底金屬層上。
2、如權(quán)利要求1所述的壘晶晶片，其特征是，該第二凸塊的高度相當(dāng)于該第一凸塊的高度。
3、如權(quán)利要求1所述的壘晶晶片，其特征是，該該第二焊墊所暴露出的面積大于該第一焊墊所暴露出的面積。
4、如權(quán)利要求1所述的壘晶晶片，其特征是，該第二球底金屬層的分布面積大于該第一球底金屬層的分布面積。
5、如權(quán)利要求1所述的壘晶晶片，其特征是，該第二焊墊的面積大于該第一焊墊的面積。
6、如權(quán)利要求1所述的壘晶晶片，其特征是，該晶片更具有一重配置線路層，其配置于該晶片的該主動(dòng)表面，而該第一焊墊及該第二焊墊是由該重配置線路層所構(gòu)成。
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