[實用新型]具低切換噪聲的構裝結構

無效

• 申請號: 02201420.9
• 申請日: 2002-01-11
• 公開（公告）號: CN2515804Y
• 公開（公告）日: 2002-10-09
• 發明（設計）人: 何宗哲;李明林;張慧如;賴信助
• 申請（專利權）人: 財團法人工業技術研究院
• 主分類號: H01L23/58
• 分類號: H01L23/58
• 代理公司: 隆天國際專利商標代理有限公司
• 代理人: 陳紅,潘培坤

1.一種具低切換噪聲的構裝結構，包括一芯片，具有多個接合墊，其特征在于還包含有一芯片電容，置于所述芯片的上表面或背面，與所述芯片接合，該芯片電容具有多層相互隔絕的電極層，且該每一電極層都具有至少一個連接至該芯片電容表層的I/O連接墊。

2.如權利要求1所述的具低切換噪聲的構裝結構，其特征在于所述的芯片電容的電極層由導電體所構成。

3.如權利要求1所述的具低切換噪聲的構裝結構，其特征在于所述的芯片電容的各電極層之間利用高介電常數材質相互隔絕。

4.如權利要求1所述的具低切換噪聲的構裝結構，其特征在于所述芯片電容的電極層至少包含有一電源層及一接地層。

5.如權利要求1所述的具低切換噪聲的構裝結構，其特征在于所述的I/O連接墊為一I/O焊墊。

6.如權利要求5所述的具低切換噪聲的構裝結構，其特征在于所述的I/O焊墊排列成陣列方式。

7.如權利要求5所述的具低切換噪聲的構裝結構，其特征在于所述芯片電容不同電極層的I/O焊墊相互交錯排列。

8.如權利要求1所述的具低切換噪聲的構裝結構，其特征在于所述芯片電容不同電極層的I/O連接墊相互隔絕。

9.如權利要求8所述的具低切換噪聲的構裝結構，其特征在于所述的I/O連接墊位于所述芯片電容的周邊。

10.如權利要求1所述的具低切換噪聲的構裝結構，其特征在于所述的芯片與所述芯片電容的接合體還接合在一基板上。

11.如權利要求10所述的具低切換噪聲的構裝結構，其特征在于所述的構裝結構以所述芯片的一側與所述基板接合。

12.如權利要求10所述的具低切換噪聲的構裝結構，其特征在于所述的構裝結構以所述芯片電容的一側與所述基板接合。

13.如權利要求10所述的具低切換噪聲的構裝結構，其特征在于所述的芯片及所述芯片電容接合于所述基板的一凹槽內。

14.如權利要求1所述的具低切換噪聲的構裝結構，其特征在于所述的芯片電容直接作為所述芯片的承載基板。

15.如權利要求1所述的具低切換噪聲的構裝結構，其特征在于所述的芯片電容嵌入在一基板內。

16.如權利要求1所述的具低切換噪聲的構裝結構，其特征在于所述的芯片電容接合在一基板上。

17.如權利要求16所述的具低切換噪聲的構裝結構，其特征在于所述的芯片電容為一薄膜被動組件，直接貼在所述基板上。

18.如權利要求16所述的具低切換噪聲的構裝結構，其特征在于所述的芯片電容為一厚膜被動組件，接合芯片在所述基板上。

19.如權利要求16所述的具低切換噪聲的構裝結構，其特征在于所述的芯片電容通過焊料凸塊與所述芯片及基板接合。

20.如權利要求19所述的具低切換噪聲的構裝結構，其特征在于所述的芯片電容上具有貫穿的注射焊料的孔洞。