[發(fā)明專利]用PLD方法制備的具有正巨磁阻效應(yīng)的鈷碳薄膜材料無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 02153786.0 | 申請日： | 2002-12-06 |
| 公開（公告）號： | CN1412572A | 公開（公告）日： | 2003-04-23 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 章曉中;朱丹丹;薛慶忠 | 申請（專利權(quán)）人： | 清華大學(xué) |
| 主分類號： | G01R33/09 | 分類號： | G01R33/09;G11B5/39 |
| 代理公司： | 北京眾合誠成知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人： | 李光松 |
| 地址： | 100084 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | pld 方法 制備 具有 磁阻 效應(yīng) 薄膜 材料 | ||
【權(quán)利要求書】：
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