[發明專利]通過雙向數據寫入磁場實施數據寫入的薄膜磁體存儲裝置有效
| 申請號： | 02142125.0 | 申請日： | 2002-08-28 |
| 公開（公告）號： | CN1419241A | 公開（公告）日： | 2003-05-21 |
| 發明（設計）人： | 日高秀人 | 申請（專利權）人： | 三菱電機株式會社 |
| 主分類號： | G11C11/15 | 分類號： | G11C11/15;G11C7/00 |
| 代理公司： | 中國專利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 馬鐵良,葉愷東 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 通過 雙向 數據 寫入 磁場 實施 薄膜 磁體 存儲 裝置 | ||
【權利要求書】：
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