[發明專利]制造多層陶瓷基板的方法

有效

• 申請號: 02141246.4
• 申請日: 2002-06-28
• 公開（公告）號: CN1395464A
• 公開（公告）日: 2003-02-05
• 發明（設計）人: 原田英幸;川上弘倫
• 申請（專利權）人: 株式會社村田制作所
• 主分類號: H05K3/46
• 分類號: H05K3/46;B32B18/00
• 代理公司: 上海專利商標事務所
• 代理人: 沈昭坤

1.一種制造各自包括相互層疊陶瓷層的多層陶瓷基板的制造方法，其特征在于，該方法包括下述步驟：

制備生復合層疊體，它包括生多層母基板和設置成在層疊方向上將生多層母基板夾在中間的一對收縮抑制層，

其中，所述生多層母基板包括多個含有可燒結的絕緣陶瓷粉末的陶瓷生層，所述生多層母基板具有限定多個多層陶瓷基板的預定劃分線，所述收縮抑制層包含在所述絕緣陶瓷粉末的可燒結溫度下不會燒結的無機粉末，所述生復合層疊體具有多個通孔，這些通孔設置在劃分線上以便在層疊方向上至少穿透生多層母基板；

在絕緣陶瓷粉末燒結而無機粉末不燒結的條件下焙燒生復合層疊體，以形成在收縮抑制層之間的經燒結的多層母基板；

去除所述收縮抑制層；以及，

沿著預定的劃分線劃分燒結過的多層母基板，以形成多個陶瓷基板，每個基板都具有含通孔內表面二分之一的側表面。

2.如權利要求1所述的制造多層陶瓷基板的方法，其特征在于，還至少包括從下列組中選擇的一個步驟：

制備用于形成陶瓷生層的陶瓷生片；

制備用于形成收縮抑制層的無機生片；

相互層疊陶瓷生片；以及，

層疊無機生片，以在層疊方向上將陶瓷生片夾在中間。

3.如權利要求1所述的制造多層陶瓷基板的方法，其特征在于，進一步包括至少在一層陶瓷生片中提供穿透部分，以形成多層陶瓷基板中的空腔的步驟。

4.如權利要求1所述的制造多層陶瓷基板的方法，其特征在于，進一步包括在收縮抑制層之間的生多層母基板上形成通孔的步驟。

5.如權利要求1所述的制造多層陶瓷基板的方法，其特征在于，進一步包括在陶瓷生片上形成透孔的步驟，該透孔設置成使陶瓷生片在層疊時透孔能形成通孔。

6.如權利要求1所述的制造多層陶瓷基板的方法，其特征在于，進一步包括下述步驟：提供用于形成多層陶瓷母基板外部端電極的導體，使之能暴露在通孔的內表面；從而，在將多層母基板劃分之后，所述導體能暴露在對應于通孔內表面的多層陶瓷基板的部分側表面上，以形成外部端電極。

7.如權利要求6所述的制造多層陶瓷基板的方法，其特征在于，進一步包括形成生復合層疊體，且提供通孔以便于劃分導體的步驟。

8.如權利要求6所述的制造多層陶瓷基板的方法，其特征在于，所提供的導體在層疊方向上穿透所述生多層母基板。

9.如權利要求6所述的制造多層陶瓷基板的方法，其特征在于，所提供的導體在層疊方向上延伸至部分生多層母基板。

10.如權利要求6所述的制造多層陶瓷基板的方法，其特征在于，進一步包括下述步驟：濕鍍燒結過的多層母基板，使得在去除收縮抑制層之后和劃分多層母基板之前在通孔內表面所暴露的導體表面上沉積電鍍薄膜。

11.如權利要求6所述的制造多層陶瓷基板的方法，其特征在于，所述導體可由導電漿構成。

12.如權利要求12所述的制造多層陶瓷基板的方法，其特征在于，所述導體至少具有Ag、Ag-Pt合金、Ag-Pd合金、Cu、Au以及Ni中的一種成分。

13.如權利要求1所述的制造多層陶瓷基板的方法，其特征在于，還包括下述步驟：形成導體，該導體將在通過劃分多層母基板制成的多層陶瓷基板的側表面上對應于通孔的內表面部分成為外部端電極。

14.如權利要求1所述的制造多層陶瓷基板的方法，其特征在于，還包括下述步驟：所述通孔具有矩形的剖面形狀，并且剖面形狀的較長側設置在劃分線延伸的方向。

15.如權利要求1所述的制造多層陶瓷基板的方法，其特征在于，還包括下述步驟：在生復合層疊體上沿著劃分線形成切割凹槽，且使之至少穿透一層收縮抑制層并在厚度方向上延伸至部分多層母基板，從而當劃分多層母基板時能沿著切割凹槽來劃分多層母基板。

16.如權利要求15所述的制造多層陶瓷基板的方法，其特征在于，在層疊方向壓制生復合層疊體之后實施形成切割凹槽的步驟。

17.如權利要求16所述的制造多層陶瓷基板的方法，其特征在于，在壓制步驟以后再形成通孔。