[發明專利]化合物半導體裝置的制造方法

無效

• 申請號: 02140904.8
• 申請日: 2002-07-09
• 公開（公告）號: CN1396633A
• 公開（公告）日: 2003-02-12
• 發明（設計）人: 淺野哲郎;上川正博;平田耕一;榊原干人
• 申請（專利權）人: 三洋電機株式會社
• 主分類號: H01L21/302
• 分類號: H01L21/302;H01L21/78
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所
• 代理人: 范明娥,張平元

1.一種化合物半導體裝置的制造方法，特征是包括如下工序，即

將化合物半導體基板的(100)面作為表面，以[01方向-0]、[001方向]、[001]、[010]中任何一個方向形成上述基板的取向面，使用這樣形成的化合物半導體基板形成圖案的工序，和

對上述基板進行切割的工序。

2.根據權利要求1記載的化合物半導體裝置制造方法，特征是包括如下工序，即，

將化合物半導體基板的(100)面作為表面，使用相對于上述基板的[01方向-1方向]的方向，以傾斜方向配置各芯片的分步標線，進行縮小投影曝光而形成圖案的工序，和

相對于[01方向-1方向]的方向，以斜的方向對上述基板進行切割的工序。

3.根據權利要求1記載的化合物半導體裝置制造方法，特征是包括如下工序，即，

將化合物半導體基板的(100)面作為表面，實質上，使用相對于上述基板的[01方向-1方向]的方向的以30～60度交叉方向配置各芯片的逐步標線，進行縮小投影曝光而形成圖案的工序，和

相對于[01方向-1方向]的方向，以30～60度交叉方向進行切割的工序。