[發(fā)明專利]高集成度積層基材制造方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 02140388.0 | 申請日： | 2002-07-02 |
| 公開（公告）號： | CN1395463A | 公開（公告）日： | 2003-02-05 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 何昆耀;宮振越 | 申請（專利權(quán)）人： | 威盛電子股份有限公司 |
| 主分類號： | H05K3/46 | 分類號： | H05K3/46;B32B31/00 |
| 代理公司： | 北京紀(jì)凱知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人： | 沙捷,王初 |
| 地址： | 中國*** | 國省代碼： | 臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 集成度 基材 制造 方法 | ||
1.一種積層基材制造方法，其特征在于，包括：
提供一第一支撐體；
于該第一支撐體上形成一圖案化線路；
于該第一支撐體上形成一第一介電層，該第一介電層覆蓋住該圖案化線路，以于該第一支撐體上形成一具有圖案化線路的介電層；
提供一第二支撐體；
于該第二支撐體上形成多個導(dǎo)通孔柱；
于該第二支撐體上形成一第二介電層，這些導(dǎo)通孔柱突出于該第二介電層，以于該第二支撐體上形成一具有導(dǎo)通孔柱的介電層；以及
將多個具有圖案化線路的介電層與多個具有導(dǎo)通孔柱的介電層對位并壓合，以使得些導(dǎo)通孔柱刺穿該第一介電層而與該圖案化線路電性連接。
2.如權(quán)利要求1所述的積層基材制造方法，其特征在于：這些具有圖案化線路的介電層與這些具有導(dǎo)通孔柱的介電層對位并壓合之后，還包括進行一固化步驟，以將該第一介電層與該第二介電層固化并同時完成導(dǎo)電位置的電氣導(dǎo)通連接。
3.如權(quán)利要求1所述的積層基材制造方法，其特征在于，該圖案化線路的形成方法包括：
形成一導(dǎo)體層于該第一支撐體上；
形成一圖案化光阻于該導(dǎo)體層上；以及
以該圖案化光阻為屏蔽，移除未被該圖案化光阻覆蓋的該導(dǎo)體層，以形成該圖案化線路。
4.如權(quán)利要求1所述的積層基材制造方法，其特征在于，該圖案化線路的形成方法包括：
形成一第一導(dǎo)體層于該第一支撐體上；
形成一圖案化光阻于該導(dǎo)體層上，該圖案化光阻具有多個開口；
形成一第二導(dǎo)體層于這些第二開口中；
移除該圖案化光阻；以及
移除未被該第二導(dǎo)體層覆蓋的該第一導(dǎo)體層，以形成該圖案化線路。
5.如權(quán)利要求1所述的積層基材制造方法，其特征在于：這些具有圖案化線路的介電層與這些具有導(dǎo)通孔柱的介電層的壓合為真空熱壓合。
6.一種積層基材制造方法，其特征在于，包括：
提供一第一支撐體；
于該第一支撐體上形成一圖案化線路；
于該第一支撐體上形成一第一介電層，該第一介電層覆蓋住該圖案化線路，以于該第一支撐體上形成一具有圖案化線路的介電層；
提供一第二支撐體；
于該第二支撐體上形成多個導(dǎo)通孔柱；
于該第二支撐體上形成一第二介電層，這些導(dǎo)通孔柱突出于該第二介電層，以于該第二支撐體上形成一具有導(dǎo)通孔柱的介電層；
提供至少一焊墊開口層，該焊墊開口層具有多個開口；以及
將多個具有圖案化線路的介電層、多個具有導(dǎo)通孔柱的介電層以及該焊墊開口層對位并壓合，以使得些導(dǎo)通孔柱刺穿該第一介電層而與該圖案化線路電性連接。
7.如權(quán)利要求6所述的積層基材制造方法，其特征在于：這些具有圖案化線路的介電層、這些具有導(dǎo)通孔柱的介電層以及該焊墊開口層對位并壓合之后，還包括進行一固化步驟，以將該第一介電層與該第二介電層固化并同時完成導(dǎo)電位置的電氣導(dǎo)通連接。
8.如權(quán)利要求6所述的積層基材制造方法，其特征在于，該圖案化線路的形成方法包括：
形成一導(dǎo)體層于該第一支撐體上；
形成一圖案化光阻于該導(dǎo)體層上；以及
以該圖案化光阻為屏蔽，移除未被該圖案化光阻覆蓋的該導(dǎo)體層，以形成該圖案化線路。
9.如權(quán)利要求6所述的積層基材制造方法，其特征在于，該圖案化線路的形成方法包括：
形成一第一導(dǎo)體層于該第一支撐體上；
形成一圖案化光阻于該導(dǎo)體層上，該圖案化光阻具有多個開口；
形成一第二導(dǎo)體層于這些第二開口中；
移除該圖案化光阻；以及
移除未被該第二導(dǎo)體層覆蓋之該第一導(dǎo)體層，以形成該圖案化線路。
10.如權(quán)利要求6所述之積層基材制造方法，其特征在于，這些導(dǎo)通孔柱的形成方法包括：
形成一導(dǎo)體層于該第二支撐體上；
形成一圖案化光阻于該導(dǎo)體層上；以及
以該圖案化光阻為屏蔽，移除未被該圖案化光阻覆蓋的該導(dǎo)體層，以形成這些導(dǎo)通孔柱。
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